公开(公告)号：CN109545847A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811326034.4

申请日：2018-11-08

Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司

Inventor： 李伟邦 ,  骆健 ,  李宇柱 ,  董长城 ,  郑婷婷

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种虚拟沟槽栅结构，包括沟槽，沟槽内表面设有栅氧化层，其特征在于，所述沟槽内设有设有栅电极，所述栅电极包括连接的第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极的连接顶点能够连接成等边三角形，所述第一栅电极为依次连接的折线，第一栅电极和第二栅电极的宽度相等。通过第一栅电极和第二栅电极的连接顶点能够连接成等边三角形，基于减小连接顶点外切圆半径的原则提供一种实现P浮空区的连接栅电极结构，解决现有技术中工艺实现困难，达到了当沟槽多晶硅淀积时不易产生凹口，沟槽多晶硅淀积均匀，提高多晶硅填充质量和器件性能的有益效果。

公开(公告)号：CN111009578A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201911043605.8

申请日：2019-10-30

Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司

Inventor： 郑婷婷 ,  李宇柱 ,  李伟邦 ,  骆健 ,  董长城 ,  叶枫叶 ,  黄全全

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种IGBT沟槽栅末端结构，包括衬底、虚拟沟槽区、多晶硅块、介质层、接触窗口、发射极金属层。虚拟沟槽区设于衬底端面上，虚拟沟槽区包括两条以上相互平行的虚拟沟槽，虚拟沟槽内填充有多晶硅，多晶硅块设于衬底端面上，用于并联虚拟沟槽区内的虚拟沟槽，介质层覆设于衬底端面上，且多晶硅块位于衬底与介质层之间，接触窗口贯穿介质层并延伸至多晶硅块上，接触窗口中填充有导体，发射极金属层覆设于介质层外表面，并通过接触窗口中的导体使得位于介质层上方的发射极金属层和介质层下方的多晶硅块及虚拟沟槽相连。由于采用添加多晶硅块并直接在多晶硅块上方开接触窗口保证了足够的接触面积，使得电场更加分散，增加了门极击穿电压。

公开(公告)号：CN108107341A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711039218.8

申请日：2017-10-31

Applicant: 南京南瑞集团公司

Inventor： 李伟邦 ,  侯凯 ,  骆健 ,  何安然 ,  蒋应伟 ,  王志刚 ,  董长城 ,  黄绍真 ,  隗华荣

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明公开一种应用于IGBT器件直接串联H桥组件的测试平台，属于电力电子技术领域。本发明包括依次并柜连接的控制单元柜、调压器柜、变压器柜、整流柜、电容器柜、H桥组件柜、负载柜和安全放电柜。本发明电路简单、布置简洁、方法可靠、搭建容易，适合在研发初期对样品的快速验证，可以测试大电流下H桥组件的电应力情况，有功损耗主要为器件损耗，损耗小。

公开(公告)号：CN103066809B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201210520019.X

申请日：2012-12-06

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 李伟邦 ,  侯凯 ,  何安然 ,  骆健 ,  范镇淇

IPC: H02M1/06

Abstract: 本发明提供一种应用于直接串联型IGBT的改进型RCD缓冲电路，改进型RCD缓冲电路包括RCD缓冲单元、电压采样模块、比较器模块、脉冲发生单元和辅助开关单元；RCD缓冲单元包括电阻R、二极管D和电容C，电阻R与二极管D并联后与电容C串联，再并联到IGBT的集电极和发射极两端；电压采样模块对IGBT的集电极和发射极两端的电压进行分压，比较器模块对IGBT两端经过分压后的电压和预设的参考电平进行比较，脉冲发生单元的输入端与比较器模块的输出端连接。本发明提供的一种应用于直接串联型IGBT的改进型RCD缓冲电路，当检测到过压时，通过脉冲发生单元发生短时脉冲控制辅助IGBT的开通和关断实现短时的过压能量泄放，能快速降低IGBT两端的过压到正常范围，并且损耗大大降低。

公开(公告)号：CN103023002A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210479311.1

申请日：2012-11-22

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 侯凯 ,  骆健 ,  范镇淇 ,  李伟邦 ,  董长城

IPC: H02H9/04 ,  H02H7/22

Abstract: 本发明提供一种基于查表法的数字化IGBT串联均压电路，所述电路包括电压采样电路、AD转换电路、FPGA电路、DA转换电路和IGBT驱动电路。本发明具有均压速度快、精度高、电路简单等优点，可综合解决串联均压和过流、短路保护等技术难题，适用于基于IGBT串联的柔性直流输电、电力电子变压器、高压变频器、有源滤波器、静止无功发生器等高压场合的IGBT控制与保护电路。

公开(公告)号：CN103023002B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201210479311.1

申请日：2012-11-22

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 侯凯 ,  骆健 ,  范镇淇 ,  李伟邦 ,  董长城

IPC: H02H9/04 ,  H02H7/22

Abstract: 本发明提供一种基于查表法的数字化IGBT串联均压电路，所述电路包括电压采样电路、AD转换电路、FPGA电路、DA转换电路和IGBT驱动电路。本发明具有均压速度快、精度高、电路简单等优点，可综合解决串联均压和过流、短路保护等技术难题，适用于基于IGBT串联的柔性直流输电、电力电子变压器、高压变频器、有源滤波器、静止无功发生器等高压场合的IGBT控制与保护电路。

公开(公告)号：CN103066809A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210520019.X

申请日：2012-12-06

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 李伟邦 ,  侯凯 ,  何安然 ,  骆健 ,  范镇淇

IPC: H02M1/06

Abstract: 本发明提供一种应用于直接串联型IGBT的改进型RCD缓冲电路，改进型RCD缓冲电路包括RCD缓冲单元、电压采样模块、比较器模块、脉冲发生单元和辅助开关单元；RCD缓冲单元包括电阻R、二极管D和电容C，电阻R与二极管D并联后与电容C串联，再并联到IGBT的集电极和发射极两端；电压采样模块对IGBT的集电极和发射极两端的电压进行分压，比较器模块对IGBT两端经过分压后的电压和预设的参考电平进行比较，脉冲发生单元的输入端与比较器模块的输出端连接。本发明提供的一种应用于直接串联型IGBT的改进型RCD缓冲电路，当检测到过压时，通过脉冲发生单元发生短时脉冲控制辅助IGBT的开通和关断实现短时的过压能量泄放，能快速降低IGBT两端的过压到正常范围，并且损耗大大降低。

公开(公告)号：CN203164375U

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201320077992.9

申请日：2013-02-20

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 陈永华 ,  侯凯 ,  李伟邦 ,  范镇淇 ,  卢文兵 ,  董长城 ,  武迪

IPC: G01R31/327

Abstract: 本实用新型提供了一种试验装置，所述电路为IGBT直接串联阀脉冲试验装置，该装置包括试验回路和由交流断路器、调压器、隔离变压器、不控整流柜、充电电阻和快速直流熔断器组成的充电回路；试验回路包括放电回路、脉冲电容器组、IGBT直接串联阀臂I、IGBT直接串联阀臂II、阻感负载和快速直流熔断器。和现有技术比，该装置满足换流阀研发初期的需要，在不考虑热设计的情况下在阀臂上产生电压、电流应力，对阀臂的电气性能进行验证，试验时仅需两个阀臂，阀臂的制作和参数调整均较为方便。