公开(公告)号：CN1645576A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410094908.X

申请日：2004-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 约亨·C.·拜因特纳 ,  杜雷斯蒂·奇达姆巴拉奥 ,  李玉君 ,  小肯尼思·T.·赛特勒梅耶

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种具有FinFET的集成电路的形成方法，包括形成亚光刻翅片的方法，其中掩模限定包括一对翅片从而宽度减小或后退达每侧上一个翅片厚度的硅块，之后第二掩模形成在第一掩模周围，由此在除去第一掩模之后，开口留在第二掩模中，第二掩模具有一对翅片之间分离距离的宽度。当穿过开口蚀刻硅时，翅片由第二掩模保护，由此通过后退步骤限定了翅片厚度。一种可选方法使用了相反极性的光刻，首先光刻地限定两个翅片之间的中心蚀刻开口，然后通过后退步骤扩展开口宽度，由此采用耐蚀刻的栓塞填充的拓宽的开口限定该对翅片的外部边缘，由此设置了翅片宽度而不需要对准步骤。

公开(公告)号：CN1159764C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN00136496.0

申请日：2000-12-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 劳伦斯·A·克勒文格 ,  拉曼·迪瓦卡卢米 ,  许履尘 ,  李玉君

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/088 ,  Y10S438/969

Abstract: 一种N沟道金属氧化物半导体(NMOS)驱动电路(及其制造方法)，它包括制作在衬底上并具有用低浓度N型注入方法制作的源和漏的增压栅叠层，以及耦合到增压栅叠层的NMOS驱动器，其中所述低浓度N型注入包括不大于每立方厘米1×1014掺杂剂离子。