公开(公告)号：CN1259735C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200310123390.3

申请日：2003-12-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村上哲朗 ,  中津弘志 ,  仓桥孝尚 ,  大山尚一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/30

Abstract: 具有至少AlGaInP发光层和透明电极的一种发光二极管，其中该透明电极由第III簇元素或其化合物掺杂的ZnO薄膜制成。

公开(公告)号：CN1248322C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN03160266.5

申请日：2003-06-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仓桥孝尚 ,  村上哲朗 ,  大山尚一 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/105

Abstract: 本发明公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al0.5Ga0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P或Al0.5In0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×103Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。因此，该发光二极管有很好的高速响应。

公开(公告)号：CN1612370A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410090081.5

申请日：2004-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仓桥孝尚 ,  村上哲朗 ,  大山尚一 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法。本发明以低成本和高成品率提供并制造了一种半导体发光器件，该器件允许发射层中产生的光不仅从其顶部表面而且从其侧表面发出，并且该器件具有高亮度。AlGaInP基半导体发光器件具有设置在发射层(3)和对来自发射层(3)的发射波长透明的透明衬底(2)之间的由(AlyGa1－y)zIn1－zP(0≤y≤1，0＜z＜1)制成的接触层(8)。

公开(公告)号：CN1508889A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN200310123390.3

申请日：2003-12-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村上哲朗 ,  中津弘志 ,  仓桥孝尚 ,  大山尚一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/30

Abstract: 具有至少AlGaInP发光层和透明电极的一种发光二极管，其中该透明电极由第III簇元素或其化合物掺杂的ZnO薄膜制成。