公开(公告)号：CN110501739B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201910390172.7

申请日：2019-05-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 长冈贵之 ,  安西伸介

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  G01N23/04

Abstract: 放射线检测器将检测放射线并产生电荷的元件以阵列状排列，以规定的周期逐行地选择并将对应所述放射线的剂量的电荷读出。不等待从首行到末行选择结束的期间即一帧分的读出结束，从所述首行开始行的选择。

公开(公告)号：CN110501739A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910390172.7

申请日：2019-05-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 长冈贵之 ,  安西伸介

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  G01N23/04

Abstract: 辐射线检测器将检测辐射线并产生电荷的元件以阵列状排列，以规定的周期每行地选择并将对应所述辐射线的辐射量的电荷读出。不等待从首行到末行选择结束的期间即一框架分的读出结束，从所述首行开始行的选择。

公开(公告)号：CN100359604C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN03152359.5

申请日：2003-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 安西伸介 ,  森康通 ,  田中嗣彦

IPC: G11C16/06 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C7/06 ,  G11C16/28 ,  G11C29/70 ,  G11C2211/5623 ,  G11C2211/5641

Abstract: 一种半导体存储装置，它包括：存储单元阵列，该存储单元阵列具有双值存储区和多值存储区，其中，双值存储区包含多个存储单元，每个存储单元包括1比特的数据，以及多值存储区包括多个存储单元，每个存储单元包括2个或者多比特数据；以及读出放大器部分，该部分对于双值存储区的数据读取和多值存储区的数据读取是公用的，以便通过将选择的存储单元与参考单位进行比较，读取在所选存储单元中存储的数据。

公开(公告)号：CN1477646A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03152359.5

申请日：2003-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 安西伸介 ,  森康通 ,  田中嗣彦

IPC: G11C16/06 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C7/06 ,  G11C16/28 ,  G11C29/70 ,  G11C2211/5623 ,  G11C2211/5641

Abstract: 一种半导体存储装置，它包括：存储单元阵列，该存储单元阵列具有双值存储区和多值存储区，其中，双值存储区包含多个存储单元，每个存储单元包括1比特的数据，以及多值存储区包括多个存储单元，每个存储单元包括2个或者多比特数据；以及读出放大器部分，该部分对于双值存储区的数据读取和多值存储区的数据读取是公用的，以便通过将选择的存储单元与参考单位进行比较，读取在所选存储单元中存储的数据。

公开(公告)号：CN1477640A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03152362.5

申请日：2003-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森康通 ,  吉本贵彦 ,  安西伸介 ,  野岛武

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/4063 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C16/28 ,  G11C2211/5634

Abstract: 一种读取电路，用于从多个存储单元中的一个存储单元中读取数据，读取电路包括：多个分割读出电路，多个分割读出电路中的每一个通过多条读出线中对应的一条读出线与所述的一个存储单元连接；以及电流电压转换电路，用于将流经每一条读出线的电流转换为表示对应的读出线的电位的读出电压。每一个分割读出电路包括：电流负载电路，用于通过对应的读出线向所述的一个存储单元提供电流；以及读出放大器，用于读出对应的读出线和多条参考线中对应的参考线之间的电位差。在至少一个分割读出电路包括的电流负载电路具有与在另一分割读出电路中包括的电流负载电路的电流提供能力不同的电流提供能力。