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公开(公告)号：CN101242077B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810004004.1
申请日：2006-06-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明公开了一种制造激光器件的方法，其包括将激光器芯片固定到具有光透射窗的封装的内部；密封地封闭所述封装的内部；以及通过所述光透射窗向所述封装的内部照射具有420nm或更短波长的光，同时在70℃或更高的温度下加热所述激光器件。本发明在不劣化激光器芯片所采用的焊料和电极的情况下去除附着在包括激光器芯片、芯柱和管壳的封装元件上的污染物，并在激光器芯片工作时抑制光化学反应物质在发光端面上沉积。
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公开(公告)号：CN101447641A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810177819.X
申请日：2008-12-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/02212 , H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01S5/02296 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种帽构件以及采用该帽构件的半导体装置。该帽构件能够缓解可靠性的退化并提高制造产率。该帽构件具有圆柱形的侧壁部分；顶面部分，封闭侧壁部分的一端并具有形成在顶面部分中的光出射孔；光透射窗，安装到顶面部分以将光出射孔堵塞；以及法兰部分，布置在侧壁部分的另一端并焊接在其上安装有半导体激光器芯片的管座的上表面上。凹槽部分形成在顶面部分的内表面中，并且该凹槽部分使得顶面部分的在预定区域中的部分比其它部分更薄。
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公开(公告)号：CN101222117A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710162148.5
申请日：2007-12-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L31/0203 , H01L31/143 , H01L31/18 , H01S5/0021 , H01S5/02212 , H01S5/02224 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提出了一种半导体发光器件及其制造方法。根据本发明，一种氮化物半导体器件包括引线柱。将热沉设置在引线柱上。至少一个氮化物半导体发光元件与热沉相连。将用于检测来自半导体发光元件的光的光检测元件设置在引线柱上。用于按照密封方式在其中封装热沉、半导体发光元件和光检测元件的帽状物与引线柱相连。帽状物中的间隔具有封装气体氛围。封装气体氛围包含用于抑制在半导体发光元件中包含的氢原子扩散的成分。本发明抑制了由于操作电压增加导致的缺陷以增加良品率，从而提高了半导体发光器件的制造生产率。
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公开(公告)号：CN100355161C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510072704.0
申请日：2005-05-17
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为-30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。
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公开(公告)号：CN1909311A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610108428.3
申请日：2006-08-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，在所述半导体发光器件中，盖在放电下被压焊在底座的顶表面上，以形成封装。该封装包封热沉、氮化物半导体激光元件、电极插脚和导线，并在其内部密封有包含氧的气体作为密封气氛。至少盖的内表面镀有可以吸藏氢的金属Ni和Pd。
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