公开(公告)号：CN105144276B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201480022504.1

申请日：2014-02-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  小川康行 ,  织田明博 ,  富田雅裕

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1345 ,  G09G3/20 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/0944

CPC classification number: G09G5/10 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/022 ,  G09G2330/027 ,  H03K3/356026

Abstract: 本发明的一个方式的显示装置(100)具备：显示部(110)，其包括排列成矩阵状的多个像素部；扫描线驱动电路(120)，其具有用于驱动与构成上述显示部的像素部连接的扫描线的输出晶体管；以及显示控制电路(140)，其在显示期间将用于使上述显示部显示图像的信号提供给上述驱动部，在显示中止期间控制上述输出晶体管的偏置状态，使得在上述显示期间升高了的上述输出晶体管的阈值电压的绝对值减小。

公开(公告)号：CN102473716A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080036941.0

申请日：2010-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 织田明博 ,  金子诚二

IPC: H01L27/146 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/14601 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/101

Abstract: 即使薄膜二极管的半导体层的厚度薄，也能够提高光利用效率并提高薄膜二极管的光检测灵敏度。另外，防止薄膜二极管的电极通过遮光层发生短路。在基板(101)的一侧，设置包括第一半导体层(131)的薄膜二极管(130)，该第一半导体层(131)至少包含n型区域(131n)和p型区域(131p)，在基板与第一半导体层之间设置有遮光层(160)。在遮光层的与第一半导体层相对的一侧的面形成有氧化金属层(180)。在氧化金属层的与第一半导体层相对的一侧的面形成有凹凸，第一半导体层具有沿着氧化金属层的凹凸的凹凸形状。

公开(公告)号：CN105144276A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480022504.1

申请日：2014-02-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  小川康行 ,  织田明博 ,  富田雅裕

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1345 ,  G09G3/20 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/0944

CPC classification number: G09G5/10 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/022 ,  G09G2330/027 ,  H03K3/356026

Abstract: 本发明的一个方式的显示装置(100)具备：显示部(110)，其包括排列成矩阵状的多个像素部；扫描线驱动电路(120)，其具有用于驱动与构成上述显示部的像素部连接的扫描线的输出晶体管；以及显示控制电路(140)，其在显示期间将用于使上述显示部显示图像的信号提供给上述驱动部，在显示中止期间控制上述输出晶体管的偏置状态，使得在上述显示期间升高了的上述输出晶体管的阈值电压的绝对值减小。

公开(公告)号：CN104040724A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280066838.X

申请日：2012-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 织田明博

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：基板(1)、栅极电极(11)、栅极绝缘膜(12)、氧化物半导体层(13)、源极电极(14)、漏极电极(15)和保护膜(16)。氧化物半导体层的上表面和侧面被源极电极、漏极电极和保护膜覆盖，从基板面法线方向看时，从第一接触区域(13s)的外缘至源极电极的外缘的最短距离和从第二接触区域(13d)的外缘至漏极电极的外缘的最短距离分别为1.5μm以上4.5μm以下。