公开(公告)号：CN1691357A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067060.6

申请日：2005-04-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤了基 ,  桥本祐子 ,  缘田宪史 ,  武内正典

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明的有源矩阵衬底包含TFT和衬底。当从该衬底的法线方向观察时，在衬底上形成的TFT包含：第一区域，其中栅电极通过半导体层与源电极交迭；第二区域，其中栅电极通过半导体层与漏电极交迭；以及第三区域，其中半导体层既不与栅电极和源电极交迭也不与漏电极交迭。该第三区域包含与位于第一区域之外的源电极的部分相邻的部分和/或与位于第二区域之外的漏电极相邻的部分。该栅电极包含：主体，其包含组成第一区域和第二区域的部分；以及从该主体突出的凸出。该栅电极的凸出的至少一部分位于漏电极和与源电极相邻的第三区域的部分之间，或者位于源电极和与漏电极相邻的第三区域的部分之间。