公开(公告)号：CN101222117A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710162148.5

申请日：2007-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高谷邦启 ,  花冈大介 ,  石田真也

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/024 ,  H01S5/22 ,  H01S5/00 ,  H01L33/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/143 ,  H01L31/18 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02224 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提出了一种半导体发光器件及其制造方法。根据本发明，一种氮化物半导体器件包括引线柱。将热沉设置在引线柱上。至少一个氮化物半导体发光元件与热沉相连。将用于检测来自半导体发光元件的光的光检测元件设置在引线柱上。用于按照密封方式在其中封装热沉、半导体发光元件和光检测元件的帽状物与引线柱相连。帽状物中的间隔具有封装气体氛围。封装气体氛围包含用于抑制在半导体发光元件中包含的氢原子扩散的成分。本发明抑制了由于操作电压增加导致的缺陷以增加良品率，从而提高了半导体发光器件的制造生产率。

公开(公告)号：CN100355161C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200510072704.0

申请日：2005-05-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 津田有三 ,  花冈大介 ,  石田真也

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022

Abstract: 一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为-30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。

公开(公告)号：CN1909311A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108428.3

申请日：2006-08-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 花冈大介 ,  石田真也 ,  高谷邦启 ,  伊藤茂稔

IPC: H01S5/022 ,  H01L33/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，在所述半导体发光器件中，盖在放电下被压焊在底座的顶表面上，以形成封装。该封装包封热沉、氮化物半导体激光元件、电极插脚和导线，并在其内部密封有包含氧的气体作为密封气氛。至少盖的内表面镀有可以吸藏氢的金属Ni和Pd。