公开(公告)号：CN1205504C

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN02142050.5

申请日：2002-08-23

Applicant: 夏普株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 小林和树 ,  藤野公明 ,  迫野郁夫 ,  大见忠弘 ,  须川成利 ,  森本明大

IPC: G02F1/136 ,  G02B6/12 ,  C03C15/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136213 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78633

Abstract: 制造具有埋置式结构的基片的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的玻璃基片；通过湿法蚀刻工艺在玻璃基片的主表面制成凹槽；和在玻璃基片的主表面沉积第1材料，并用其填充凹槽，制成具有与主表面基本齐平的表面的埋置式结构，制成凹槽的步骤包括：使用包含氢氟酸、氟化铵、和盐酸或草酸的蚀刻剂进行湿法蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN1402066A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02142050.5

申请日：2002-08-23

Applicant: 夏普株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 小林和树 ,  藤野公明 ,  迫野郁夫 ,  大见忠弘 ,  须川成利 ,  森本明大

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136213 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78633

Abstract: 制造具有埋置式结构的基片的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的玻璃基片；通过湿法蚀刻工艺在玻璃基片的主表面制成凹槽；和在玻璃基片的主表面沉积第1材料，并用其填充凹槽，制成具有与主表面基本齐平的表面的埋置式结构，制成凹槽的步骤包括：使用包含氢氟酸、氟化铵、和盐酸或草酸的蚀刻剂进行湿法蚀刻工艺。