-
公开(公告)号：CN110335995B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910420776.1
申请日：2019-05-20
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料的制备方法，将铝源、锰源、镍源以及锂源按化学计量比精确称量；将称量得到的锰源、镍源和Al2O3混合并进行球磨；将球磨得到的混合物干燥成粉末；称量草酸粉末并与干燥成粉末的混合物混合；在得到的混合物中加入PEG，搅拌，得到黑灰色胶状混合物，对该黑灰色胶状混合物预加热，得到黑色的前驱体粉末；将得到的黑色的前驱体粉末与称量得到的锂源球磨混合；将得到的混合物先在800℃下保温5～24h，再降温到600℃下保温5～24h并退火到室温下，得到亚微米级的掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料。本发明利用低成本的高温固相法与聚合物辅助法相结合，得到掺杂Al3+的正八面体形貌的镍锰酸锂材料，性价比较高。
-
公开(公告)号：CN110217833B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910420778.0
申请日：2019-05-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料的制备方法，将锰源、镍源以及锂源按化学计量比精确称量；将称量得到的锰源和镍源混合并进行球磨；将球磨得到的锰源和镍源的混合物干燥成粉末；称量一定量的草酸，将上述草酸、称量得到的锂源和干燥成粉末的锰源和镍源的混合物通过球磨混合；在上述得到的混合物中加入一定量的PEG，搅拌，得到黑灰色胶状混合物，对该黑灰色胶状混合物进行预加热；将预加热得到的混合物先在300℃下保温1～5h，后升温到800℃下保温1～5h并退火到室温下，得到亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料。本发明利用低成本的高温固相法与聚合物辅助法相结合，得到亚微米级正八面体结构镍锰酸锂材料，使得性价比有较大提升。
-
公开(公告)号：CN110335995A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910420776.1
申请日：2019-05-20
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料的制备方法，将铝源、锰源、镍源以及锂源按化学计量比精确称量；将称量得到的锰源、镍源和Al2O3混合并进行球磨；将球磨得到的混合物干燥成粉末；称量草酸粉末并与干燥成粉末的混合物混合；在得到的混合物中加入PEG，搅拌，得到黑灰色胶状混合物，对该黑灰色胶状混合物预加热，得到黑色的前驱体粉末；将得到的黑色的前驱体粉末与称量得到的锂源球磨混合；将得到的混合物先在800℃下保温5～24h，再降温到600℃下保温5～24h并退火到室温下，得到亚微米级的掺杂Al3+正八面体形貌镍锰酸锂材料。本发明利用低成本的高温固相法与聚合物辅助法相结合，得到掺杂Al3+的正八面体形貌的镍锰酸锂材料，性价比较高。
-
公开(公告)号：CN104528730B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410825516.X
申请日：2014-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种降低石墨衬底内部热应力的电子束熔炼方法及石墨衬底，石墨衬底铺满水冷铜坩埚底部，所述石墨衬底由小石墨衬块拼接而成，所述小石墨块的至少2个侧壁上设有贯穿侧壁的中空的凹槽或凸槽，所述凸槽或凹槽与水平面平行，相邻的小石墨衬块之间通过凹槽和凸槽匹配连接。本发明制作的分体式石墨衬底能有效地降低电子束熔炼过程中石墨材质内部的热应力，防止石墨衬底在熔炼过程中发生破碎，提高石墨衬底的使用寿命至少2倍；分体式石墨衬底采用凹凸槽或者锯齿槽或者其它类似能达到相同效果的形式，可保证在熔炼的过程中硅熔体不发生渗漏。
-
公开(公告)号：CN104556049A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410826877.6
申请日：2014-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种在多晶硅定向凝固中提高提纯得率的设备及方法，通过在现有多晶硅定向凝固提纯设备中增加水冷盘装置，在定向凝固后进行逆定向凝固，使金属杂质浓度高的区域快速凝固，减少了金属杂质的反扩散行为，同时硅熔体的定向凝固生长与逆定向凝固生长会在生长的尖端形成断裂带，直接移出硅锭上表面即可，可方便快捷地达到分离目的，本发明的设备简单，设计巧妙；利用此设备的分离方法可有效抑制金属杂质的扩散行为，有效提高硅锭利用率5～10％；实现高金属杂质的硅熔体区域与硅锭的分离，提高了实际良率5～15％。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104178809B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410440796.2
申请日：2014-09-01
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种冶金法制备低金属硼母合金的方法，属于硼母合金制备领域。一种冶金法制备低金属硼母合金的方法，包括下述工艺步骤：①原料选择：选择与目标硼母合金中硼元素浓度相同的工业硅原料；②酸洗：将工业硅原料破碎至60～120目的粉体，将粉体及无机酸溶液置于反应釜中，20～70℃下处理5～10h，水洗、分离、干燥，其中，所述无机酸溶液的浓度为20～70％；③磷杂质去除：利用电子束熔炼法去除步骤②所得物料中的磷；④硼母合金锭制备：以步骤③所得物料为原料，利用铸锭方法制备硼母合金锭。本发明中制备硼母合金的方法，无需选用6N级高纯硅原料以及高纯硼粉进行掺杂，制造成本节约30％以上。
-
公开(公告)号：CN104528733A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410829852.1
申请日：2014-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种用于铸锭分离高金属杂质区的设备及其方法，通过在铸锭设备坩埚顶部预留出一定的区域，该区域不喷覆Si3N4涂层，控制硅锭的生长方式和速率，使硅锭生长至为涂覆Si3N4涂层的区域时，通过充入一定量的氩气，使硅锭顶部高金属杂质区反向凝固，在定向凝固与反向凝固的界面处会形成裂纹，极易脱离开，并且反向凝固的区域由于未喷覆Si3N4涂层，硅锭与石英坩埚发生粘连，在取出硅锭后，破碎外表面石英坩埚的同时，可将硅锭中高金属杂质的区域一并去除。去除方法简单易行，且节省一定的Si3N4用量，硅锭利用率或实际良率为88％～91％。
-
公开(公告)号：CN104195639A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410441619.6
申请日：2014-09-01
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备硼母合金的方法，属于硼母合金制备领域。一种制备硼母合金的方法，包括下述工艺步骤：①原料选择：选择与目标硼母合金中硼元素浓度相同的工业硅原料；②磷杂质去除：利用电子束熔炼法去除步骤①所述物料中的磷；③金属杂质去除：以步骤②所得物料为原料，利用铸锭方法制备硼母合金锭；④硼母合金锭制备：将步骤③所得硼母合金锭破碎后作为原料，利用铸锭方法制备硼母合金锭。本发明中制备硼母合金的方法，无需选用6N级高纯硅原料以及高纯硼粉进行掺杂，制造成本节约30％以上。
-
公开(公告)号：CN104195636A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410440919.2
申请日：2014-09-01
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种冶金法快速制备硼母合金的方法，属于硼母合金制备领域。一种制备硼母合金的方法，包括下述工艺步骤：①原料选择：选择与目标硼母合金中硼元素浓度相同的工业硅原料，且该工业硅中原料中金属元素浓度的总和不高于1000ppmw；②磷杂质去除：利用电子束熔炼法去除步骤①所述物料中的磷；③硼母合金锭制备：以步骤②所得物料为原料，利用铸锭方法制备硼母合金锭。本发明根据换算公式，选择合适硼浓度和金属浓度的工业硅，直接利用硅中的硼元素制备硼母合金，而无需掺杂高纯硼粉。
-
公开(公告)号：CN104178809A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410440796.2
申请日：2014-09-01
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种冶金法制备低金属硼母合金的方法，属于硼母合金制备领域。一种冶金法制备低金属硼母合金的方法，包括下述工艺步骤：①原料选择：选择与目标硼母合金中硼元素浓度相同的工业硅原料；②酸洗：将工业硅原料破碎至60～120目的粉体，将粉体及无机酸溶液置于反应釜中，20～70℃下处理5～10h，水洗、分离、干燥，其中，所述无机酸溶液的浓度为20～70％；③磷杂质去除：利用电子束熔炼法去除步骤②所得物料中的磷；④硼母合金锭制备：以步骤③所得物料为原料，利用铸锭方法制备硼母合金锭。本发明中制备硼母合金的方法，无需选用6N级高纯硅原料以及高纯硼粉进行掺杂，制造成本节约30％以上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.021 seconds)
