一种MoS2/有机硅共混矩阵膜、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN113856489A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111129750.5

    申请日:2021-09-26

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于共混矩阵膜分离技术领域,具体涉及一种MoS2/有机硅共混矩阵膜、制备方法及应用,该方法包括:由有机烷氧基硅烷通过水解聚合法制备有机硅溶胶;将MoS2分散液与有机硅溶胶混合均匀制备MoS2/有机硅分散液;将MoS2/有机硅分散液擦涂在撑体上,煅烧后得到MoS2/有机硅共混矩阵膜。本发明制备的MoS2/有机硅共混矩阵膜具有良好的H2渗透性和选择性,可应用于分离混合气中的氢气。

    高韧性的聚己内酯可重塑形状记忆材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113831706A

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN202110954669.4

    申请日:2021-08-19

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于形状记忆材料领域,具体涉及一种高韧性的聚己内酯可重塑形状记忆材料及其制备方法,本发明通过紫外光与超声等处理方法,合成了分子链上共轭双键位置可控的PCL交联网络前体,再将PCL交联网络前体和含有双键的聚轮烷基交联剂混合均匀,然后在反应温度下进行Diels‑Alder反应而交联,制得高韧性的聚己内酯可重塑形状记忆材料。本发明证明了超声处理的方法可以将光二聚产生的丁内环重构为共轭双键。所用的机械化学手段条件温和,可以精确调控聚合物的分子结构,且更加的安全与环保。所选用的交联结点为可滑动的聚轮烷,可以有效改善应力循环中材料内应力分布不均的缺陷,使材料具有高韧性及高形状回复速率的特点。

    一种用于分离CO2/N2的有机硅膜的制备方法

    公开(公告)号:CN113648855A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110995764.9

    申请日:2021-08-27

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于膜材料制备领域,特别涉及一种用于分离CO2/N2的有机硅膜的制备方法。以1,2‑双(三乙氧基硅基)乙烷(BTESE)、1,2‑双(三乙氧基硅基)乙烯(BTESEthy)或1,2‑双(三乙氧基硅基)乙炔(BTESA)为有机硅源前驱体,通过溶胶‑凝胶法制备了具有不同桥联基团的有机硅膜。通过使用键长相似的乙烷、乙烯或乙炔桥详细研究了有机硅膜的微观结构与分离性能。实验结果表明,引入刚性较大的乙炔桥使得膜的微观结构更加疏松。BTESA膜具有更开放更易进入的孔结构适合于CO2/N2的分离。

    一种氨基修饰的有机硅膜的制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113385054A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110766609.X

    申请日:2021-07-07

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于有机硅膜材料的制备领域,具体涉及一种氨基修饰的有机硅膜的制备方法与应用,将APTES引入到BTESA膜基质中,以调整微结构并提高CO2捕获性能,在BTESA基质中修饰APTES增强了复合膜对CO2分子的亲和力,同时控制了膜的孔径,并通过测量N2吸附量、CO2吸附热和气体渗透性能得到验证。在CO2/N2混合物的分离中,复合有机硅膜表现出前所未有的高CO2捕获能力,超过了大多数先进的膜,显示了工业应用的巨大前景。

    一种抗污染的硅钛共聚复合膜的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN109821429B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201910167305.4

    申请日:2019-03-06

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 徐荣 朱春晖 钟璟

    Abstract: 本发明属于分离膜制备领域,特别涉及一种抗污染的硅钛共聚复合膜的制备方法及应用。本发明将钛源前驱体与硅源前驱体原位共聚形成硅钛聚合溶胶,通过高温煅烧在多孔无机撑体表面形成硅钛共聚复合膜。原位共聚使氧化钛与氧化硅形成均匀稳定的Ti‑O‑Si杂化网络结构,同时解决了一般掺杂改性中TiO2在基质中分散不均匀的问题。原位共聚形成的硅钛复合膜在水处理,如脱盐中表现出很好的抗污染性能和分离性能。

    一种厚度小于50nm超薄硅基醇水分离膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109433018B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201811431858.8

    申请日:2018-11-28

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于膜材料制备领域,特别涉及一种厚度小于50nm超薄硅基醇水分离膜的制备方法。当前制膜过程中常用的浸渍提拉法,存在分离层厚度大(>300nm)、通量较小、无法精确调控制备过程等问题,即使采用旋涂法、擦涂法等方法所制备的分离层厚度也难以达到200nm以下。针对以上问题,本发明利用超声波将低浓度的有机硅溶胶雾化,使溶胶分散为无数微小液滴,然后通过载气吹扫将雾化的溶胶沉积在多孔聚合物撑体上,最后进行干燥,制备出分离层厚度

    一种耐酸性PSQ复合膜的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN111359446A

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN202010155370.8

    申请日:2020-03-09

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种耐酸性PSQ复合膜的制备方法及应用,属于膜分离制备技术领域。制备方法包括如下步骤:(1)将PSQ前驱体溶解于醇溶剂中,依次加入盐酸、氨水、盐酸进行酸-碱-酸交替催化反应制得PSQ溶胶。(2)在陶瓷支撑体上涂敷二氧化硅-氧化锆溶胶生成过渡层。(3)在过渡层表面涂敷PSQ溶胶作为分离层,浸渍-提拉后制得具有支撑层、过渡层和分离层结构的PSQ复合膜。本发明提供的PSQ复合膜具有良好的耐酸性能,同时具有高通量和高选择性,满足当前的工业需求和期望,广泛适用于酸性体系的有机溶剂脱水以及有机溶剂分离。

    一种表面亲水改性杂化硅膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107583468B

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201710849927.6

    申请日:2017-09-20

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于膜材料制备领域,特别涉及一种表面亲水改性杂化硅膜的制备方法。本发明提供一种简单、温和且高效的亲水改性方法,通过将杂化硅膜材料静置在溴蒸汽中发生亲电加成反应得到溴代杂化硅膜,然后将溴代杂化硅膜静置在氨蒸汽中使溴原子被氨分子取代制备得到氨基官能化的杂化硅膜,使得膜表面亲水性提高,在水处理过程中的水渗透率增大。

    一种含氟杂化硅膜的制备及应用

    公开(公告)号:CN107051236B

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201611086287.X

    申请日:2016-12-01

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 徐荣 姜万 钟璟

    Abstract: 本发明属于膜材料制备领域,特别涉及一种含氟杂化硅膜的制备及应用。将硅源前驱体三乙氧基氟硅烷水解聚合反应制备成溶胶,再采用热涂法涂膜制得分离膜,即无定型含氟杂化硅膜,再将所得的无定型含氟杂化硅膜用于醇水分离。

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