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公开(公告)号：CN103391942B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280010570.8
申请日：2012-02-24
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , C07C319/18 , C07C319/20 , C07C321/28 , C07C323/21 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07C319/20 , C07D495/04 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/0558 , C07C321/28
Abstract: 本发明提供一种由式(1)表示的新型杂环化合物和具有包含上述化合物的半导体层的场效应晶体管。本发明还提供一种制造能够制造上述新型杂环化合物的中间体的方法。(在所述式中，R1和R2表示氢原子、C2～C16烷基、或芳基。然而，当R1各自独立地表示C2～C16烷基或芳基时，R2表示氢原子或各自独立地表示芳基；且当R1表示氢原子时，R2各自独立地表示芳基)。
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公开(公告)号：CN104650110A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410836711.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , C09D11/03 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0074 , C07C319/20 , C07D495/04 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/0558 , C07C321/28
Abstract: 本发明涉及新型杂环化合物、制造其中间体的方法及其用途。本发明提供一种由式(1)表示的新型杂环化合物和具有包含上述化合物的半导体层的场效应晶体管。本发明还提供一种制造能够制造上述新型杂环化合物的中间体的方法。(在所述式中，当R1各自独立地表示C2～C16烷基时，R2各自表示氢原子)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115151552A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016971.3
申请日：2021-02-19
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D519/00 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的目的在于提供于实用制程温度范围下的耐热性优异的缩合多环芳香族化合物、含该化合物的有机薄膜及具有该有机薄膜的有机半导体器件(场效晶体管、有机光电转换元件)。本发明包含通式(1):所示的缩合多环芳香族化合物，(式(1)中，R1及R2的一者为通式(2)或通式(3)：所示的取代基，另一者表示氢原子，(式(2)及式(3)中，n表示0至2的整数。X表示氧原子、硫原子或硒原子。R3表示氢原子或取代或未取代的芳香族烃基))。
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公开(公告)号：CN114728981A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080360.0
申请日：2020-12-04
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04
Abstract: 本发明的课题是提供用简便的合成方法而可导入各种取代基的缩合多环芳香族化合物、包含该化合物的有机薄膜及具有该有机薄膜的有机光电转换元件以及场效晶体管。所以，提供下述的解决手段；通式(1)表示的缩合多环芳香族化合物(式(1)中，R1及R2中的一者表示通式(2)所示的取代基，另一者表示氢原子(式(2)中，n表示0至2的整数，R3及R4分别独立地表示从芳香族烃化合物除去2个氢原子后的2价连结基或从包含氮原子、氧原子或硫原子的任一者的6元环以上的杂环化合物除去2个氢原子后的2价连结基，n为2时，存在多个的R4可互为相同或相异，R5表示从芳香族烃化合物除去1个氢原子后的残基或从包含氮原子、氧原子或硫原子的任一者的6元环以上的杂环化合物除去1个氢原子后的残基；但排除R3及R4全部为从芳香族烃化合物除去2个氢原子后的2价连结基且R5为从芳香族烃化合物除去1个氢原子后的残基的情况))。
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公开(公告)号：CN114269754A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080056768.4
申请日：2020-09-07
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的目的为提供在实用的制程温度区域具有优异耐热性的稠合多环芳香族化合物、包含该化合物的有机薄膜及具有该有机薄膜的有机半导体装置(电场效应晶体管、有机光电转换元件)。本发明包含下述通式(1)表示的稠合多环芳香族化合物。稠合多环芳香族化合物为通式(1)表示的稠合多环芳香族化合物，(式(1)中，R1及R2中的一者如通式(2)表示，且表示包含3至5个环结构的取代基，另一者表示氢原子)，(式(2)中，n表示0至2的整数。R3表示自苯或萘去除2个氢原子后的二价连结基。R4表示自芳香族烃的芳香环去除2个氢原子后的二价连结基，在n为2的情况，多个存在的R4可彼此相同，也可不同。R5表示芳香族烃基)。
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公开(公告)号：CN105940083A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006015.1
申请日：2015-01-29
Applicant: 日本化药株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: C09K11/06 , H01L31/055
CPC classification number: G02F1/361 , B01J31/0244 , B01J31/0281 , B01J31/0282 , B01J35/004 , G02F1/353 , H01B1/122 , H01L31/02162 , H01L31/055 , Y02E10/52
Abstract: 提供一种光波长转换元件，其具有也能够应用于太阳光强度程度的弱光的高光波长转换效率，并且具有良好的经时稳定性，由此可以适宜地用于太阳能电池、光催化剂、光催化剂型氢氧发生装置、光上转换滤光器等。光波长转换元件是使作为显示三线态‑三线态湮灭过程的组合的有机光敏分子(A)和有机发光分子(B)溶解和/或分散在离子液体(C)中而得到的目视上均质且透明的光波长转换元件，上述有机光敏分子(A)的极大吸收波长(其中，在存在多个极大吸收波长的情况下，是指它们中波长最长的极大吸收波长)在250～499nm的范围内。
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公开(公告)号：CN103391942A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201280010570.8
申请日：2012-02-24
Applicant: 国立大学法人广岛大学 , 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , C07C319/18 , C07C319/20 , C07C321/28 , C07C323/21 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07C319/20 , C07D495/04 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/0558 , C07C321/28
Abstract: 本发明提供一种由式(1)表示的新型杂环化合物和具有包含上述化合物的半导体层的场效应晶体管。本发明还提供一种制造能够制造上述新型杂环化合物的中间体的方法。(在所述式中，R1和R2表示氢原子、C2～C16烷基、或芳基。然而，当R1各自独立地表示C2～C16烷基或芳基时，R2表示氢原子或各自独立地表示芳基；且当R1表示氢原子时，R2各自独立地表示芳基。)
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