公开(公告)号：CN1160478C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN98100854.2

申请日：1998-02-26

Applicant: 住友重机械工业株式会社 ,  日本板硝子株式会社

Inventor： 酒见俊之 ,  田中胜 ,  和田俊司 ,  荻野悦男

IPC: C23C14/32

CPC classification number: H01J37/32422 ,  H01J37/3266

Abstract: 一种真空薄膜生长设备，其特征在于：它包括：一个真空腔，一个装在所述真空腔上的等离子体源，一个置于所述真空腔内的阳极，以及一个设在真空腔外将由所述等离子体源产生的等离子体束引导进入所述阳极的导引线圈；所述真空薄膜生长设备适用于将所述等离子体束引导向所述阳极并在一块衬底上形成一层薄膜；所述真空薄膜生长设备还包括一个用以校正所述等离子体束的扭转和/偏移的校正机构，所述校正机构包含设置于在所述导引线圈处、或者设置于所述导引线圈和所述真空腔之间另一位置处的一个磁体，在该另一位置处有从所述导引线圈产生的磁力线。

公开(公告)号：CN1330168A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01109738.8

申请日：2001-03-29

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 和田俊司 ,  加藤之启

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/48 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L51/0021 ,  Y10T428/163

Abstract: 提供一种具有一透明导电薄膜的基片,该透明导电薄膜的逸出功高、表面光滑性好、电阻率低,从而确保耗电低、显示质量高。使用SnO

公开(公告)号：CN1269609A

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN00106012.0

申请日：2000-03-31

Applicant: 日本板硝子株式会社 ,  住友重机械工业株式会社

Inventor： 和田俊司 ,  矢川博士 ,  峰尾元久 ,  青木裕一 ,  筑后了治 ,  吉井明彦

IPC: H01L33/00 ,  G02F1/133 ,  H01B5/14

CPC classification number: C23C14/32 ,  C23C14/086

Abstract: 一种能够获得低比电阻和低膜压应力的透明导电膜制造方法和所得到的透明导电膜。将置于阳极相对位置的基片温度设置在不高于130℃。由构成阴极的放电等离子体发生装置生成等离子束,将该等离子束引导到阳极,从而使容纳在阳极中的蒸发材料蒸发并使被蒸发材料的微粒离子化,由此在基片的表面上形成透明导电膜。再将该透明导电膜置于不低于180℃的温度下进行热处理。所形成的透明导电膜具有230μΩ·cm或更小的比电阻和0.35GPa或更低的膜压应力。