公开(公告)号：CN111261502A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911163010.6

申请日：2019-11-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 梅田喜一 ,  渥美广范

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的SiC外延生长装置具备载置SiC晶片的载置台和覆盖所述载置台的炉体，所述炉体具备原料气体供给口、第1吹扫气体供给口和第2吹扫气体供给口，所述原料气体供给口位于与所述载置台相对的位置，向所述生长空间供给原料气体，所述第1吹扫气体供给口包围所述原料气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体，所述第2吹扫气体供给口包围所述第1吹扫气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体。

公开(公告)号：CN115704109A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210915297.9

申请日：2022-08-01

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 田中健胜 ,  梅田喜一

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02

Abstract: 目的在于得到硼的含有量在面内的任意位置处都少且有效面积大的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，在所述外延层中，所述硼的浓度在面内的任意位置处都小于1.0×1014cm‑3。

公开(公告)号：CN115704106A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210915294.5

申请日：2022-08-01

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 田中健胜 ,  梅田喜一

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

Abstract: 目的在于得到硼的含有量少的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，所述外延层的中心处的所述硼的浓度小于5.0×1012cm‑3。

公开(公告)号：CN109841542A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811380441.3

申请日：2018-11-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 本山和道 ,  奥野好成 ,  梅田喜一 ,  深田启介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C30B29/36 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；和加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置，在与所述加热器的所述基座侧的第1面相对的所述基座的被辐射面形成有凹凸。