公开(公告)号：CN110455419B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201910608854.0

申请日：2019-07-08

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  曾文 ,  张宇靖 ,  赖浩杰 ,  周洋 ,  刘彭义

IPC: G01J5/12 ,  G01J3/28

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，包括：底座、V6O13单晶片、源电极以及漏电极；所述底座为凹形，所述V6O13单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起，所述V6O13单晶片和所述底座之间形成空腔，所述V6O13单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜，分别作为源电极、漏电极。本发明采用的悬空式光电探测器器件结构，利用V6O13单晶片与基底的悬空，极大的减少了V6O13单晶片与基底之间发热导，提高探测器的信噪比，显著提高器件的光电性能。本发明提供的基于V6O13单晶片的悬空式光电器件，实现0.4‑8.8μm的可见—中红外宽光谱光电响应，其响应时间达毫秒级，有望成为第三代非致冷红外探测器的候选材料。

公开(公告)号：CN109402574B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201811463202.4

申请日：2018-12-03

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  曾文 ,  何锐辉 ,  陈天寅 ,  刘彭义

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于功能纳米材料领域，具体涉及一种分散型自组装VO2纳米颗粒的制备方法。该方法将固态薄膜反湿润和热解法相结合，通过V2O5前驱薄膜制备和后热处理两个步骤即可制备出分散型自组装VO2纳米颗粒。该方法克服了传统模板法工艺复杂、成本高的缺点，不但具有工艺简单、成本低廉的优点，而且所制备出的分散型VO2纳米颗粒具有颗粒分布均匀、物相单一的特点；此外，通过调控V2O5前驱薄膜的厚度，能够制备出不同粒径的VO2纳米颗粒，从而实现了MIT温度及迟滞宽度随VO2纳米颗粒的粒径增大而减小的可控性，部分产品表现出41℃相变温度及零迟滞的优异相变行为，所得VO2纳米颗粒在智能窗领域具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN110455419A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910608854.0

申请日：2019-07-08

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谢伟广 ,  曾文 ,  张宇靖 ,  赖浩杰 ,  周洋 ,  刘彭义

IPC: G01J5/12 ,  G01J3/28

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，包括：底座、V6O13单晶片、源电极以及漏电极；所述底座为凹形，所述V6O13单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起，所述V6O13单晶片和所述底座之间形成空腔，所述V6O13单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜，分别作为源电极、漏电极。本发明采用的悬空式光电探测器器件结构，利用V6O13单晶片与基底的悬空，极大的减少了V6O13单晶片与基底之间发热导，提高探测器的信噪比，显著提高器件的光电性能。本发明提供的基于V6O13单晶片的悬空式光电器件，实现0.4-8.8μm的可见—中红外宽光谱光电响应，其响应时间达毫秒级，有望成为第三代非致冷红外探测器的候选材料。

公开(公告)号：CN1955110A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610037581.1

申请日：2006-09-07

Applicant: 暨南大学

Inventor： 谷云乐 ,  刘应亮 ,  曾文 ,  徐子林

IPC: C01B21/068 ,  B82B3/00 ,  C04B35/584

Abstract: 本发明公开了一种低温制备氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的方法，以SiCl4、NaN3和金属钠为原料，调控反应物配比，在400－500℃下反应，产物经过洗涤、过滤和干燥，即可分别得到氮化硅(Si3N4)纳米线和纳米带粉体材料。产物主要是β－Si3N4，含少量α－Si3N4，相对于SiCl4总产率90％以上。副产物为NaCl和少量氮气。氮化硅纳米线平均直径30nm，氮化硅纳米带宽40－80nm，厚度不超过20nm，平均长度约为500nm。本发明反应操作简单、安全，产物纯净，收率高。