公开(公告)号：CN111575796A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010094897.4

申请日：2020-02-14

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 森勇介 ,  今西正幸 ,  吉村政志 ,  村上航介 ,  小松真介 ,  多田昌浩 ,  冈山芳央

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种制造高品质的III族氮化物结晶的方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：晶种准备工序，在基板上准备多个点状的III族氮化物作为用于生长III族氮化物结晶的多个晶种；以及结晶生长工序，在包含氮的气氛下，使上述晶种的表面接触包含选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素以及碱金属的熔液，由此使III族元素与氮在熔液中发生反应而使III族氮化物结晶生长，结晶生长工序包括：成核工序，由多个晶种形成晶核；棱锥生长工序，使棱锥形状的第一III族氮化物结晶由多个晶核生长；以及横向生长工序，使第二III族氮化物结晶以填埋多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶的间隙而使表面平坦的方式生长。