公开(公告)号：CN1682378A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03821566.7

申请日：2003-09-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 根上卓之 ,  岛川伸一 ,  佐藤琢也 ,  林茂生

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/046 ,  H01L31/0443 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池，包括导电基板和在该导电基板上设置的绝缘层、导电层和半导体层。形成通孔以穿透该绝缘层和导电层，用构成所述半导体层的半导体填充通孔。从构成所述导电基板的元素中选出的至少一种元素扩散到用于填充通孔的半导体中。

公开(公告)号：CN1199288C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN01111902.0

申请日：2001-03-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤琢也 ,  根上卓之 ,  林茂生 ,  桥本泰宏 ,  岛川伸一

IPC: H01L31/0264 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03926 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供其特性和可靠性良好的太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池使用包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的半导体。该太阳能电池配有导电性的基体11、在基体11的一主表面11a上形成的第1绝缘层12a、在基体11的另一主表面11b上形成的第2绝缘层12b、以及在第1绝缘层11a的上方配置的光吸收层14，光吸收层14由包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的半导体组成。

公开(公告)号：CN1407634A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02132109.4

申请日：2002-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛川伸一 ,  室真弘 ,  佐藤琢也 ,  根上卓之

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供可高合格率且高产率地制造通用性强的太阳电池的制造方法以及制造装置。包含以下工序：在基板(11)形成长方形的第1电极层(12)的工序；在第1电极层(12)上形成长方形的半导体层(13)的工序；在半导体层(13)上形成长方形的第2电极层(14)的工序。第1电极层(12)以及第2电极层(14)中的至少1个电极层，利用以下工序分割成长方形：(a)涂抹抗蚀液并形成条状的抗蚀图的工序，(b)覆盖抗蚀图地形成上述至少1个电极层的工序，(c)同时除去抗蚀图以及在抗蚀图上形成的上述至少1个电极层的工序。