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公开(公告)号：CN1445768A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03107671.8
申请日：2003-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录媒体，其特征在于，至少设置一层信息层，所述信息层从激光入射侧按顺序包含第1保护膜、第1界面膜、通过激光的照射其光学特性会可逆变化的记录膜、第2界面膜、第2保护膜及反射膜，第1界面膜包含从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的氧化物，第2界面膜包含碳或从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的碳化物。
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公开(公告)号：CN101297363A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680040024.3
申请日：2006-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种能够同时实现信息层的高透射率和高信号品质、且能够提高对长期保存可靠性，并且能够降低制造成本的光学信息记录介质及其制造方法。为此，在本申请中，在基板上至少设有一个信息层的光学记录介质中，信息层的至少一个含有记录层和电介质层，记录层作为主要成分含有Te、O及M，其中M是从Au、Pd、Pt中选出的一种或多种元素，电介质层的热传导率在0.01W/K·cm以上，电介质层的消光系数在0以上1.0以下。
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公开(公告)号：CN1314028C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN03121628.5
申请日：2003-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供即使在记录层和电介质层之间不设置界面层，也能够确保高可靠性和良好的反复重写性能的信息记录介质。本发明的信息记录介质，在基片(1)的表面形成记录层(4)及电介质层(2)和(6)，记录层(4)通过光照射或施加电能在结晶相和非结晶相之间产生相变，电介质层(2)和(6)是含有选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr和Si构成的组GM中的至少一种元素的氧化物和、选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er和Yb构成的组GL中的至少一种元素的氟化物的氧化物-氟化系材料层。
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公开(公告)号：CN1306508C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN03107671.8
申请日：2003-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录媒体，其特征在于，至少设置一层信息层，所述信息层从激光入射侧按顺序包含第1保护膜、第1界面膜、通过激光的照射其光学特性会可逆变化的记录膜、第2界面膜、第2保护膜及反射膜，第1界面膜包含从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的氧化物，第2界面膜包含碳或从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W及Si中至少选择一个元素的碳化物。
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公开(公告)号：CN1910675A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002979.5
申请日：2005-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/259 , G11B7/24067 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/254 , G11B7/2578 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明提供一种可以在高密度且较宽的线速度范围下得到良好记录再生特性、并且可靠性高的记录介质及其制造方法。为此，光学信息记录介质中，在透明基板上，至少依次具备：在可通过光束的照射光学检测出的不同状态间变化的记录层；由包含50at％以上95at％以下的Si的材料组成的光吸收层；以及，由包含95at％以上的Ag和5at％以下的In的材料组成的反射层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1689088A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03823632.X
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/26 , G11B7/268 , G11B2007/0013 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 本发明涉及一种光学信息记录介质，其包括从激光束入射侧依次排布的第一至第n信息层(其中n是不小于3的整数)。每个信息层都包括含有Te、O和M的记录层，其中M表示至少一种选自下列组中的元素：Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au和Bi。第一至第n－1信息层的记录层所包含的氧原子浓度，即C(1)至C(n－1)满足下面关系：C(1)≥C(2)≥…≥C(n－2)≥C(n－1)，并且C(1)≠C(n－1)。当包括两个信息层时，使第一信息层的氧原子浓度大于第二信息层的氧原子浓度。
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公开(公告)号：CN1677526A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510054758.4
申请日：2005-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/24 , Y10T428/21
Abstract: 提供了一种记录介质，其在透明衬底上至少具有记录层。记录层从最靠近透明衬底的一侧开始依次至少具有第一可相变膜和第二可相变膜。第一可相变膜和第二可相变膜每个都包含至少10原子百分比且不超过50原子百分比的锗以及至少45原子百分比且不超过60原子百分比的碲。可相变膜中至少一个膜还包含铋。
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公开(公告)号：CN1178797C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN97191225.4
申请日：1997-09-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 提供一种光学信息记录媒体，该媒体在透明衬底上备有至少含有Te、O及M原子(其中，M是从金属元素、半金属元素及半导体元素中选择的至少一种原子)的信息层、通过将上述信息层中的O原子的含有比例定为40atom%以上、60atom%以下，M原子的含有比例定为2atom%以上、25atom%以下，Te原子的含有比例定为15atom%以上、58atom%以下，在记录位长b对光点直径d的比b/d小的信息的记录·重放时，能以较宽的功率容限获得C/N比高、起伏小的良好的记录特性。
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公开(公告)号：CN1445770A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03121628.5
申请日：2003-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 提供即使在记录层和电介质层之间不设置界面层，也能够确保高可靠性和良好的反复重写性能的信息记录介质。本发明的信息记录介质，在基片1的表面形成记录层4及电介质层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在结晶相和非结晶相之间产生相变，电介质层2和6是含有选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr和Si构成的组GM中的至少一种元素的氧化物和、选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er和Yb构成的组GL中的至少一种元素的氟化物的氧化物－氟化系材料层。
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公开(公告)号：CN102282614B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201080004775.6
申请日：2010-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/2403 , G11B7/24056 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明提供一种光学信息记录介质，具备：基板、覆盖层、被所述基板以及所述覆盖层所夹的第1信息层，通过从所述覆盖层一侧照射光束，在所述第1信息层记录信息，对记录于所述第1信息层的信息进行再生，所述第1信息层包含：记录膜、和配置于所述记录膜和所述覆盖层之间的保护膜，所述覆盖层和所述记录膜之间的距离为0.5nm以上12nm以下。
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