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公开(公告)号：CN101888933A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119382.2
申请日：2008-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/259 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25718 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造法和记录再生装置。在具备基板和具有记录层的信息层、并通过激光照射进行信息记录以及再生的信息记录介质中，利用Te-O-MA-MB材料来构成记录层，该Te-O-MA-MB材料由Te、O、MA(MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素)、以及MB(MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素)构成，并且Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，O原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下，MA原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，MB原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下。通过此结构，可进行高密度记录，从而可以提供能够长期稳定再生记录数据的低成本的信息记录介质。
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公开(公告)号：CN101426658B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200780014450.4
申请日：2007-04-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , Y10T428/21 , Y10T428/26
Abstract: 本发明的信息记录介质，设有基板和含有记录层的信息层、通过对所述信息层照射激光进行信息的记录及再生。记录层包含以由Te、O及M(其中M为从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au中选出的至少1种元素)组成的材料为主要成分，此材料中Te原子的含量比例为1～19原子％、O原子的含量比例为20～70原子％(以40～70原子％优选)、M原子的含量比例为11～79原子％(以11～59原子％优选；更优选超过35原子％的范围)。所述材料在如图1所示的Te-O-Pd的3元系统组成图中是以A、B、C、D围起的区域，优选是以C、D、E、F围起的区域，更优选的是以E、F、H、G围起的区域。
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公开(公告)号：CN101426658A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014450.4
申请日：2007-04-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , Y10T428/21 , Y10T428/26
Abstract: 本发明的信息记录介质，设有基板和含有记录层的信息层、通过对所述信息层照射激光进行信息的记录及再生。记录层包含以由Te、O及M(其中M为从Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt及Au中选出的至少1种元素)组成的材料为主要成分，此材料中Te原子的含量比例为1～19原子％、O原子的含量比例为20～70原子％(以40～70原子％优选)、M原子的含量比例为11～79原子％(以11～59原子％优选；更优选超过35原子％的范围)。所述材料在如图1所示的Te－O－Pd的3元系统组成图中是以A、B、C、D围起的区域，优选是以C、D、E、F围起的区域，更优选的是以E、F、H、G围起的区域。
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公开(公告)号：CN100421162C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200480013698.5
申请日：2004-03-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种在光学信息存储介质中，表面平坦性优越，且记录时的标记间干扰较小的光学信息存储介质及其制造方法。在能够使用激光再生信息的光学信息存储介质(10)中，在基板(1)上顺次叠层有反射层(2)、记录层(5)，反射层(2)是含有Al与Ni的合金。
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公开(公告)号：CN1428775A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157408.1
申请日：2002-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2532 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了记录层和介电体层之间即使不设界面层也能确保高可靠性、良好的反复改写性能的信息记录介质。在基板1的表面上形成记录层4和介电体层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在晶相和非晶相之间产生相转变，介电体层2和6是例如用式(ZrO2)M(Cr2O3)100－M(摩尔％)(式中M在20≤M≤80)表示的材料组成的Zr－Cr－O基材料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1424720A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02155784.5
申请日：2002-12-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2403 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供在高密度记录中不设界面层还能获得可靠性与重复改写性能两者兼优的信息记录介质，其解决手段是在基板上至少装备记录层(4)和反射层(8)，记录层通过光学手段或电学手段在晶相和非晶相之间引起相变，在基板上还装备由表记为(ZrO2)x－(Zn－S)100－X(摩尔％)、且X处于50≤X≤80范围内的材料构成的介电体层(2)、(6)。
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公开(公告)号：CN101511598B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200780031899.1
申请日：2007-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/26 , C23C14/3414 , G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种可确保高记录灵敏度和相对长期保存的可靠性的单写多读型信息记录介质。是在基板上具有记录层且通过向记录层照射激光或施加电能而能够进行信息的记录及再生的信息记录介质，记录层含有TeO2和材料A作为主成分，材料A是与TeO2显现共晶反应的材料。
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公开(公告)号：CN101297363B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200680040024.3
申请日：2006-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种能够同时实现信息层的高透射率和高信号品质、且能够提高对长期保存可靠性，并且能够降低制造成本的光学信息记录介质及其制造方法。为此，在本申请中，在基板上至少设有一个信息层的光学记录介质中，信息层的至少一个含有记录层和电介质层，记录层作为主要成分含有Te、O及M，其中M是从Au、Pd、Pt中选出的一种或多种元素，电介质层的热传导率在0.01W/K·cm以上，电介质层的消光系数在0以上1.0以下。
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公开(公告)号：CN101511598A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780031899.1
申请日：2007-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/26 , C23C14/3414 , G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种可确保高记录灵敏度和相对长期保存的可靠性的单写多读型信息记录介质。是在基板上具有记录层且通过向记录层照射激光或施加电能而能够进行信息的记录及再生的信息记录介质，记录层含有TeO2和材料A作为主成分，材料A是与TeO2显现共晶反应的材料。
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公开(公告)号：CN1906682A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001980.6
申请日：2005-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种虽然有多个信息层，但在全部的信息层上都能够稳定的记录再生，从激光入射侧来看，提供一种能够良好地保持最内层的记录灵敏度的光学信息记录介质及其制造方法。因此，本发明的光学信息记录介质，是在基板上将第1信息层、中间层、第2信息层按照该顺序形成的，无论哪个信息层都具有由含有Te、O及M(M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi中选择的1种或几种元素)的材料构成的记录层，第2信息层比第1信息层的材料M的组成比要多。
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