公开(公告)号：CN101071634A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710098134.1

申请日：2007-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小池刚 ,  金原旭成

IPC: G11C11/417

Abstract: 一种用于检测写入完成时序的虚拟存储单元设置为存储单元的副本。当通过存储单元的电源控制和基板电势控制辅助写入操作时，由电压控制电路基于有关虚拟存储单元的信息来确定结束写入辅助操作的时序。例如，在存储单元的数据写入操作中，利用下拉晶体管，电压控制电路执行降低分配到P－沟道MOS负载晶体管的源极电源电压的写入辅助操作。因此，在检测到虚拟存储单元中的数据写入操作完成时，电压控制电路结束写入辅助操作并利用上拉晶体管将源极电源的电压恢复为初始电平。

公开(公告)号：CN101785064B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200980100212.4

申请日：2009-02-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小池刚

IPC: G11C11/41

CPC classification number: G11C8/16 ,  G11C11/412 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置。在存储单元(100)中，由开关用晶体管(3 1)、复位用晶体管(32)、输出布线驱动用晶体管(33)构成将读取位线(RBIT)作为输出布线的读取电路(30)。开关用晶体管(31)根据读取字线(/RWL0)的控制信号连接存储电路(10)的数据保持节点(MD)和控制线(DR)。复位用晶体管(32)根据复位控制信号(RST)对控制线(DR)进行复位。输出布线驱动用晶体管(33)具有与控制线(DR)连接的栅极、与读取位线(RBIT)连接的漏极、与接地电源连接的源极。

公开(公告)号：CN101430924B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810175564.3

申请日：2008-11-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小池刚

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C11/419

Abstract: 本发明涉及一种半导体存储装置，在位线设置位线电位监测电路，根据该监测电路的信息控制位线的降压电路。从而，不受器件或操作条件波动的影响，容易地将位线根据其电位和负载电容降压至最佳电平。

公开(公告)号：CN101383182B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810213941.8

申请日：2008-08-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小池刚 ,  金原旭成

IPC: G11C7/12 ,  G11C11/413 ,  G11C11/417

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置。在该半导体存储装置中，连接至存储单元的位线的电压由预充电电路逐步升高到电源电压。在数据从存储单元中被读取之前，位线的电压由降压电路逐步降低到低于电源电压的电压电平。预充电开关元件控制高电势侧电源与预充电电路之间的连接和低电势侧电源与预充电电路之间的连接。电源连接电路被提供在预充电开关元件与高电势侧电源之间。地连接电路被提供在预充电开关元件连接至电源连接电路的连接点与低电势侧电源之间。

公开(公告)号：CN102473452A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080026833.5

申请日：2010-02-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小池刚

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/41 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/0207 ,  G11C11/412 ,  G11C15/04 ,  G11C15/046 ,  G11C17/12 ,  H01L27/1104

Abstract: 按照确保针对晶体管栅极破坏的耐受性，同时不破坏布局规律性地固定存储单元的内部数据的方式，在构成存储单元(100)的锁存器的2个反相器(401、402)中，将与一个存储节点(104)连接的PMOS负载晶体管(PL1)的源极或漏极切断，并且，将与另一个存储节点(103)连接的NMOS驱动晶体管(ND0)的源极或漏极切断。

公开(公告)号：CN101430924A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810175564.3

申请日：2008-11-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小池刚

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C11/419

Abstract: 本发明涉及一种半导体存储装置，在位线设置位线电位监测电路，根据该监测电路的信息控制位线的降压电路。从而，不受器件或操作条件波动的影响，容易地将位线根据其电位和负载电容降压至最佳电平。

公开(公告)号：CN101383182A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810213941.8

申请日：2008-08-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小池刚 ,  金原旭成

IPC: G11C7/12 ,  G11C11/413 ,  G11C11/417

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置。在该半导体存储装置中，连接至存储单元的位线的电压由预充电电路逐步升高到电源电压。在数据从存储单元中被读取之前，位线的电压由降压电路逐步降低到低于电源电压的电压电平。预充电开关元件控制高电势侧电源与预充电电路之间的连接和低电势侧电源与预充电电路之间的连接。电源连接电路被提供在预充电开关元件与高电势侧电源之间。地连接电路被提供在预充电开关元件连接至电源连接电路的连接点与低电势侧电源之间。