公开(公告)号：CN102959712A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180015805.8

申请日：2011-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 岸田悠治 ,  川岛孝启 ,  钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/7866

Abstract: 本发明的薄膜晶体管（10）具备：基板（1）；栅电极（2），其形成于基板上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极上；结晶硅半导体层（4），其形成于栅极绝缘膜上；非晶硅半导体层（5），其形成于结晶硅半导体层上；有机保护膜（6），其形成于非晶硅半导体层上，由有机材料形成；源电极（8S）及漏电极（8D），其夹着有机保护膜而形成于非晶硅半导体层上，包含于非晶硅半导体层（5）的负载流子的电荷密度为3×1011cm-2以上。

公开(公告)号：CN102549636A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080002882.5

申请日：2010-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3279

Abstract: 薄膜晶体管阵列装置(20)，具备底栅型的第1以及第2晶体管，源极配线(22)，配置在与第1晶体管所包含的第1源极电极(42)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1源极电极(42)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的栅极配线(21)的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与源极配线(22)以及中继电极(55)之间，在源极配线(22)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的源极配线(22)形成在同一层，由与源极配线(22)相同的材料构成。

公开(公告)号：CN102576711A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080002870.2

申请日：2010-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3279

Abstract: 薄膜晶体管阵列装置，具备底栅型的第1以及第2晶体管，栅极配线(21)，配置在与第1晶体管所包含的第1栅极电极(41)不同层的钝化膜上，经由设置在钝化膜上的第2孔部与第1栅极电极(41)电连接，层叠在钝化膜上的导电氧化物膜覆盖从开口部露出的源极配线的端部，导电氧化物膜，介于钝化膜与栅极配线(21)以及中继电极(55)之间，在栅极配线(21)与中继电极(55)之间为非电连接，导电氧化物膜，介于中继电极(55)与源极电极(53)之间，使中继电极(55)与源极电极(53)电连接，中继电极(55)与钝化膜上的栅极配线(21)形成在同一层，由与栅极配线(21)相同的材料构成。