公开(公告)号：CN101278389B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200680036056.6

申请日：2006-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松永弘树 ,  前岛明广 ,  金田甚作 ,  安藤仁 ,  前田荣作

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路。在半导体芯片上包括多个电路单元，该多个电路单元沿着半导体芯片的第一芯片边形成，多个电路单元中的每一个电路单元都具有垫。多个电路单元中位于第一芯片边的至少端部附近的一个以上的电路单元朝着从第一芯片边的中央部开始越靠近端部离第一芯片边越远的方向呈阶梯状地错开布置着。

公开(公告)号：CN101341588B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200780000765.3

申请日：2007-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 前田荣作 ,  安藤仁 ,  金田甚作 ,  前岛明广 ,  松永弘树

IPC: H01L21/60 ,  G09G3/28 ,  G09G3/20

Abstract: 本发明的半导体集成电路器件，即使在导电引线彼此之间产生短路时，也能够抑制焊丝的温度上升，使半导体集成电路器件的可靠性提高。为此，本发明将从外部电源向半导体集成电路芯片的电源部供给电源用的树脂封装的导电引线、与半导体集成电路芯片的焊盘，利用多条焊丝连接。再有，将与GND连接并向半导体集成电路芯片的电源部供给接地电位用的树脂封装的导电引线、与半导体集成电路芯片的焊盘，利用多条焊丝连接。

公开(公告)号：CN101282115A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810083556.6

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菱川直毅 ,  松永弘树 ,  金田甚作

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/007 ,  H03K17/08 ,  H03K17/687 ,  G09G3/28

CPC classification number: H03K3/35613

Abstract: 本发明公开了一种多沟道半导体集成电路。该半导体集成电路包括：高侧晶体管、低侧晶体管、驱动高侧晶体管的电平位移电路以及驱动低侧晶体管的预驱动电路，且以高侧晶体管与低侧晶体管的连接点作为输出端。电平位移电路还包括：栅极被预驱动电路驱动的第一及第二N型MOS晶体管、以及阳极连接在未连接高侧晶体管的栅极的第一及第二N型MOS晶体管的漏极上且阴极连接在输出端的二极管。

公开(公告)号：CN101079231A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710105076.0

申请日：2007-05-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田诚也 ,  松永弘树 ,  前岛明广 ,  金田甚作 ,  安藤仁

IPC: G09G3/28 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/296 ,  G09G3/293 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2330/06

Abstract: 提供用于多沟道半导体集成电路，使输出端子的状态安定的驱动电压供给电路。该驱动电压供给电路，包括：第一布线(L1)、第二布线(L2)、第一驱动电路(7)、多个第二驱动电路(8)、驱动第一驱动电路(7)和多个驱动电路(8)的控制电路、连接在第一布线(L1)和各个输出端子(11)之间的阻抗元件(12A)。