公开(公告)号：CN1259727C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN01819415.X

申请日：2001-11-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  铃木朝实良 ,  出口正洋 ,  吉井重雄 ,  古屋博之

IPC: H01L29/778 ,  H04M1/00

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7785 ,  H03F3/601 ,  H03F2200/294

Abstract: 本发明缓和高耐压和低电阻的折衷，提供低耗电、高耐压半导体装置，及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为，HEMT，包括InP基板(201)上的，由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时，对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低，且可以提高非接通时的耐压。