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11.发明公开公开(公告)号：CN103080068A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180039620.0
申请日：2011-06-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: C07C69/28 , C07C69/013 , C07C69/63 , C07D495/04 , C07D495/22 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/80 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: C07C69/013 , C07C1/213 , C07C1/22 , C07C17/357 , C07C17/363 , C07C69/24 , C07C69/28 , C07C69/63 , C07C2602/10 , C07C2603/26 , C07C2603/50 , C07C2603/52 , C07C2603/54 , C07D495/04 , C07D495/22 , C09D5/24 , C09D11/52 , H01L51/0004 , H01L51/0005 , H01L51/001 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/0074 , H01L51/0558 , C07C25/22 , C07C15/20 , C07C15/60
Abstract: 通式(I)表示的含有离去取代基的化合物，其中通过施加能量于所述含有离去取代基的化合物，所述含有离去取代基的化合物能转化为通式(Ia)表示的化合物和通式(II)表示的化合物，在通式(I)、(Ia)和(II)中，X和Y各自表示氢原子或者离去取代基，其中X和Y中的一个是所述离去取代基，且另一个是所述氢原子；Q2至Q5各自表示氢原子、卤素原子或者一价有机基团；Q1和Q6各自表示氢原子或者不同于所述离去取代基的一价有机基团；以及在Q1至Q6表示的一价有机基团中，相邻的一价有机基团可连接在一起形成环。
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公开(公告)号：CN101687992B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200880022700.3
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: C08G73/10 , C07C229/60 , H01L21/283 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明公开了一种由下式(1)表示的二胺化合物：其中基团A和基团B中的每一个为-O-、-COO-、-CONH-或-OCO-；基团C各自独立地为-O-、-COO-、-CONH-或-OCO-；且基团D各自独立地为未取代的或被至少一个卤原子取代的直链、支化或环状的C1～C20烷基，或某种树枝状基团。
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公开(公告)号：CN102194998B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110050041.8
申请日：2011-03-02
Applicant: 株式会社理光 , 国立大学法人九州大学
CPC classification number: H01L51/0051 , B82Y10/00 , H01L51/0045 , H01L51/0074 , H01L51/0562 , H01L51/102
Abstract: 本发明提供有机半导体元件和有机电极。所述有机半导体元件含有：含有第一有机化合物层和第二有机化合物层的源电极，所述层中至少之一具有有机半导体活性区；和含有所述第一有机化合物层和所述第二有机化合物层的漏电极。所述有机电极含有：层压膜，其中由以下通式I表示的四硫富瓦烯衍生物的层和受电子化合物的层被层压。通式I。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101981675B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200980111393.0
申请日：2009-02-03
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , B32B27/34 , G02F1/1368 , G02F1/167 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开包括基板、在所述基板上的润湿性变化层、和在所述基板上的导电体层的层叠结构体，所述润湿性变化层包括这样的材料，该材料的临界表面张力通过对其施加能量而改变，所述导电体层在所述润湿性变化层的施加了所述能量的区域上形成，其中所述材料包括具有侧链的结构单元和不具有侧链的结构单元。
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公开(公告)号：CN101765907B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200880100936.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0004 , H01L51/102
Abstract: 公开一种有机晶体管，包括衬底；栅极；栅极绝缘膜；源-漏极；和有机半导体层。栅极和栅极绝缘膜顺次布置在衬底上，源-漏极和有机半导体层顺次布置在至少栅极绝缘膜上。源-漏极的至少一个包括直接布置在栅极之上的第一部分、没有布置在栅极之上的第二部分以及具有比第一部分的宽度更小的宽度并连接第一部分和第二部分的连接部分。
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公开(公告)号：CN102194998A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110050041.8
申请日：2011-03-02
Applicant: 株式会社理光 , 国立大学法人九州大学
CPC classification number: H01L51/0051 , B82Y10/00 , H01L51/0045 , H01L51/0074 , H01L51/0562 , H01L51/102
Abstract: 本发明提供有机半导体元件和有机电极。所述有机半导体元件含有：含有第一有机化合物层和第二有机化合物层的源电极，所述层中至少之一具有有机半导体活性区；和含有所述第一有机化合物层和所述第二有机化合物层的漏电极。所述有机电极含有：层压膜，其中由以下通式I表示的四硫富瓦烯衍生物的层和受电子化合物的层被层压。通式I
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公开(公告)号：CN101765907A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880100936.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0004 , H01L51/102
Abstract: 公开一种有机晶体管，包括衬底；栅极；栅极绝缘膜；源-漏极；和有机半导体层。栅极和栅极绝缘膜顺次布置在衬底上，源-漏极和有机半导体层顺次布置在至少栅极绝缘膜上。源-漏极的至少一个包括直接布置在栅极之上的第一部分、没有布置在栅极之上的第二部分以及具有比第一部分的宽度更小的宽度并连接第一部分和第二部分的连接部分。
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公开(公告)号：CN101743623A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024861.6
申请日：2008-07-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/288 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0022 , H01L51/052 , H01L51/055 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明公开了一种层状结构，该层状结构具有被较好地分开的含较高表面自由能的区域和含较低表面自由能的区域，具有在底层和导电层之间的高粘着性，并且能够容易以低成本形成。所述层状结构包括润湿性可变层以及形成在所述润湿性可变层的第二表面自由能区域上的导电层，其中所述润湿性可变层包括第一膜厚度的第一表面自由能区域以及第二膜厚度的第二表面自由能区域。所述第二膜厚度小于所述第一膜厚度，并且通过将预定量的能量施加在所述第二表面自由能区域上，所述第二表面自由能区域的表面自由能被弄成高于所述第一表面自由能区域的表面自由能。
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