公开(公告)号：CN103022144B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201210359296.7

申请日：2012-09-24

Applicant: 三星显示有限公司 ,  朴镇成 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 安秉斗 ,  李制勋 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  朴在佑 ,  朴镇成 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体。该氧化物半导体包括第一材料和第二材料，该第一材料包括选自由锌（Zn）和锡（Sn）组成的组中的至少一种，其中第一材料与氧（O）之间的电负性差值减去第二材料与氧（O）之间的电负性差值而得到的值小于约1.3。

公开(公告)号：CN104603919B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380045020.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴辰玄 ,  金连洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104904017B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380067793.2

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太 ,  田尾博昭 ,  高梨泰幸

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/00 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型(BCE型)的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管TFT的氧化物半导体层对TFT制造时的源‑漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。所述薄膜晶体管的特征在于，在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极、以及保护所述源‑漏电极的保护膜，所述氧化物半导体层由Sn、选自In、Ga及Zn中的1种以上的元素、和O构成，在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源‑漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚‑氧化物半导体层中央部的膜厚)/源‑漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚]求得的值为5％以下。

公开(公告)号：CN106431011A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610390354.0

申请日：2016-06-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 慈幸范洋 ,  川上信之 ,  田尾博昭

IPC: C03C17/36

Abstract: 本发明目的在于得到银不凝集而能够发挥良好的光学特性的层叠膜、和使用其的热线反射材。本发明的层叠膜是在隔着第一金属氧化物层而层叠有第一银合金层和第二银合金层的第一层叠体的两侧分别具有1个以上的第二层叠体的层叠膜，其中，在第二层叠体中层叠有第二金属氧化物层和折射率比第二金属氧化物层大的高折射率层，所述第一和第二银合金层是含有(a)Cu和Pd、(b)Cu和Nd、(c)Bi和Zn、(d)Bi和Nd、(e)Bi中的任意一组作为合金元素的银合金，所述第一和第二金属氧化物层的波长200～1000nm的平均折射率低于2.0，所述高折射率层的波长200～1000nm的平均折射率为2.0以上。

公开(公告)号：CN103415926B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280012067.6

申请日：2012-03-08

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的薄膜晶体管用氧化物，是至少含有In、Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，设In-Zn-Sn系氧化物所含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]和[In]时，[In]/([In]+[Sn])≤0.5时满足下式(2)、(4)；[In]/([In]+[Sn])＞0.5时满足下式(1)、(3)、(4)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3…(1)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}-0.5…(2)[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.83…(3)0.1≤[In]/([In]+[Zn]+[Sn])…(4)根据本发明，能够得到TFT的开关特性优异，溅射时的溅射速率高，并且，湿式蚀刻时的蚀刻速率得到恰当控制的薄膜晶体管用氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN104620365B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201380044401.0

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  田尾博昭 ,  广濑研太

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104756257B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201380054436.2

申请日：2013-10-15

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  前田刚彰 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  具素英 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。

公开(公告)号：CN105814681A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480065043.6

申请日：2014-11-26

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  神钢力得米克株式会社

Inventor： 田尾博昭 ,  一原主税 ,  慈幸范洋 ,  田内裕基 ,  三井俊幸

IPC: H01L23/12 ,  B23K1/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明提供一种底板，该底板在一方的安装面上借助接合材料接合被接合构件，在供被接合构件接合的安装面的接合位置，具备用于借助接合材料接合被接合构件的凹处。凹处构成为，凹处开口面积比所述被接合构件大，在被接合构件的外周缘所面对的凹处外周部，凹陷的深度比凹处中央部深。

公开(公告)号：CN104904017A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380067793.2

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太 ,  田尾博昭 ,  高梨泰幸

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/00 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型(BCE型)的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管TFT的氧化物半导体层对TFT制造时的源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。所述薄膜晶体管的特征在于，在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、以及保护所述源-漏电极的保护膜，所述氧化物半导体层由Sn、选自In、Ga及Zn中的1种以上的元素、和O构成，在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚-氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚]求得的值为5％以下。

公开(公告)号：CN103415926A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280012067.6

申请日：2012-03-08

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的薄膜晶体管用氧化物，是至少含有In、Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，设In-Zn-Sn系氧化物所含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]和[In]时，[In]/([In]+[Sn])≤0.5时满足下式(2)、(4)；[In]/([In]+[Sn])＞0.5时满足下式(1)、(3)、(4)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3…(1)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}-0.5…(2)[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.83…(3)0.1≤[In]/([In]+[Zn]+[Sn])…(4)根据本发明，能够得到TFT的开关特性优异，溅射时的溅射速率高，并且，湿式蚀刻时的蚀刻速率得到恰当控制的薄膜晶体管用氧化物薄膜。