公开(公告)号：CN101185129B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200680018231.9

申请日：2006-05-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 藤田五郎 ,  三木刚 ,  下马隆司 ,  芦崎浩二 ,  中仓雅人

IPC: G11B7/0045

CPC classification number: G11B7/00452 ,  G11B7/006 ,  G11B7/268

Abstract: 通过利用具有预定激光功率的激光来照射而将基片变形成凸起形状。由于基片被变形成凸起形状，叠压在基片上的反射膜也变形成凸起形状，并且通过凸起变形的实施例，可在凹坑部分处获得与岸台部分处的再现信号电平相等同的再现信号电平。在岸台处可获得与凹坑部分处的再现信号电平相等同的再现信号电平。此时，由于凸起变形实施例可由施加的激光束的功率来控制，因此通过设置激光功率可以使凹坑成为岸台和使岸台成为凹坑。从而，可在其中通过形成在基片上的凹坑和岸台的组合来记录数据的光盘记录介质中重写记录数据。

公开(公告)号：CN1871647A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031145.2

申请日：2004-08-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田中靖人 ,  三木刚 ,  坂本哲洋 ,  藤田五郎 ,  藤家和彦

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10582

Abstract: 用来自LD(11)的预定功率的激光束辐照磁光盘(33)，以用于热处理。在热处理之后，用功率小于用于热处理的功率的激光束辐照执行过热处理的区域。较小功率激光束的反射光入射到光学传感器(24、26)上，并检测P波和S波的反射光强度。利用P波和S波的反射光强度，差动检测电路(27)检测与执行过热处理的区域对应的磁光信号的电平。控制器(28)判断由检测电路(28)检测到的磁光信号电平是否处于许可范围之内。如果在该范围之外，则调节用于热处理的激光束功率，停止磁光盘处理，或者显示代表测量结果的信息。

公开(公告)号：CN1698110A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000523.0

申请日：2004-05-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 藤田五郎 ,  三木刚 ,  田中靖人 ,  坂本哲洋 ,  藤家和彦

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10582 ,  G11B11/10523 ,  G11B11/10576 ,  G11B11/10595

Abstract: 一种适合于对磁光记录介质进行退火处理的退火设备，它包括把从激光光源(1)发出的光束光学分离成作为0阶衍射光束的第一光束，和作为1阶衍射光束的第二及第三光束的衍射光学单元(3)，会聚第一光束，把这样会聚的第一光束照射到引导凹槽或在引导凹槽两侧形成的凸台部分的磁性层上，以及会聚第二和第三光束，把这样会聚的第二和第三光束照射到引导凹槽和凸台部分之间的边界部分附近的磁性层上的物镜(5)，和根据基于第一光束的返回光线的光通量的强度分布产生的第一跟踪误差信号的线形特性，控制物镜(5)，从而第一光束沿引导凹槽或凸台部分而行的双轴促动器单元(6)。

公开(公告)号：CN1577556A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062015.7

申请日：2004-06-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 三木刚 ,  藤田五郎

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10584 ,  G11B7/24082 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10578 ,  G11B11/10582

Abstract: 一种畴壁位移检测(DWDD)系统磁光记录介质将平台3和凹槽4形成为信号记录区。通过在平台3和凹槽4之间的边界壁表面5上照射退火光La改变畴壁位移改进时，通过在沿着边界壁表面5的记录磁道长度方向延伸的部分上形成的退火光扫描位置位移检测摆动部分7检测该退火光的位置。该退火光扫描该摆动部分7，因而产生了对应于摆动部分7周期的周期的振幅从而高灵敏度地检测和监测退火光扫描位置的微小变化。因此，在该DWDD系统磁光记录介质中，可以以高灵敏度检测平台3和凹槽4之间边界壁表面处退火光的扫描位置。

公开(公告)号：CN1551170A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410063147.1

申请日：2004-05-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田中靖人 ,  藤家和彦 ,  藤田五郎 ,  坂本哲洋 ,  三木刚

IPC: G11B11/105

CPC classification number: G11B11/10595 ,  G11B7/00736 ,  G11B7/094 ,  G11B7/0945 ,  G11B11/10576

Abstract: 用光头将信息记录到磁光存储介质和从磁光存储介质重放信息，该介质具有置换层、分离层和记录层，并以此顺序层叠。该置换层由横向磁膜来定义，与记录层相比，该横向磁膜的畴壁矫顽力相对较小而畴壁迁移率较大，分离层由磁层来定义，该磁层的居里温度低于置换层和记录层。设置最佳补偿值，用于使光头跟踪磁光存储介质上提供的记录轨迹。