公开(公告)号：CN108585850A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810618082.4

申请日：2018-06-15

Applicant: 济南大学

Inventor： 张赟慧 ,  吴海涛 ,  杨长红 ,  邢春芳 ,  杨耀康

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3244

Abstract: 本发明公开了一种超低温烧结微波介质陶瓷及制备方法，该陶瓷材料组成表达式为：Eu2+2xZr3Mo9O36+3x，其中-0.05≤x≤0.025。本发明先将Eu2O3、ZrO2和MoO3等原材料按照表达式进行配料，经球磨、干燥、过筛后于600℃的温度下进行预烧处理；再经二次球磨、干燥后添加10%重量百分比粘合剂进行炒蜡造粒，压制成型为直径为10 mm的圆柱坯体，于550~650℃烧结温度下对陶瓷坯体进行烧结得到致密的陶瓷体。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点：较低的烧结温度（550~650℃），制备工艺较为简单，制备过程环保，成本较低，是一种很有发展前途的低介电微波介质材料。

公开(公告)号：CN105503202A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610026761.3

申请日：2016-01-17

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  毕金鑫 ,  杨长红

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/48

CPC classification number: C04B35/622 ,  C04B35/48 ,  C04B35/626 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206

Abstract: 本发明公开了一种新型Li2MgZrO4低损耗微波介质陶瓷材料及制备方法，该陶瓷材料组成表达式为：Li2(1+x)MgZrO4,其中0≤x≤0.10。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点：微波品质因数高(Q·f=56,000GHz~63,400GHz),制备工艺简单，过程环保，制备成本较低，是一种很有发展前途的微波介质材料。

公开(公告)号：CN105198422A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510643253.5

申请日：2015-10-08

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  毕金鑫 ,  杨长红 ,  冯战百

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种Li3Ni2NbO6微波介质材料及其制备方法。该陶瓷材料采用传统固相法制备而成，陶瓷材料主要物相为Li3Ni2NbO6，其介电常数范围为14.1351至15.1342，品质因数Q·f为1.711×104GHz至1.974×104GHz，谐振频率温度系数为-15.6ppm/℃至-13.9ppm/℃。本发明微波介质陶瓷材料制作工艺较为简单，使用设备及所用原料成本低廉，有利于大规模工业生产。所制得的陶瓷具有低损耗，较高介电常数等多种优异的特性，可作为介质谐振器、介质滤波器、双工器、微波介质天线、介质稳频振荡器等微波电子元器件的材料使用，能在无线互联网、无线移动通信、卫星通信、军用和民用雷达为代表的无线信息技术领域起到重要的作用。

公开(公告)号：CN104072129A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410156268.4

申请日：2014-04-18

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  隋慧婷 ,  吴海涛 ,  杨锋 ,  胡广达

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C03C17/34

Abstract: 本发明公开了一种B位等价锆离子掺杂的钛酸铋钠薄膜，属于功能薄膜领域。该薄膜以化学通式Na0.5Bi0.5(Ti1-xZrx)O3表示，其中，x为锆离子的摩尔掺量，且0.01≤x≤0.04。本发明通过化学溶液法结合层层退火工艺，在镀有底电极的玻璃衬底上旋涂镀膜，氮气气氛中500~550℃的低温下热处理，制得具有良好电绝缘性、铁电性以及介电性的无铅薄膜。该薄膜能够用于制备非易失性铁电存储器，开发具有铁电、压电、光电、光折变及非线性光学特性的多功能材料和器件。

公开(公告)号：CN103708837A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310262118.7

申请日：2013-06-27

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  杨长红 ,  胡广达

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成Ba(Zn1/3Nb2/3)O3介质陶瓷纳米粉体方法。本发明技术方案为：利用水溶性溶胶凝胶法精细合成Ba(Zn1/3Nb2/3)O3介质陶瓷纳米前驱粉体方法，包括以下步骤：1)配制Zn、Ba离子的柠檬酸水溶液；2)配制Nb的柠檬酸水溶液；3)Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷纳米前驱体的合成。该发明利用价格低廉的氧化物及无机硝酸盐作为原料，避免使用昂贵的金属醇盐，合成粉体具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、同时容易实施各种元素精细掺杂改性，所获得粉体具有纳米粒度(低于100nm)并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能实现后续低温烧结，有望满足LTCC应用需求。

公开(公告)号：CN103708537A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310232921.6

申请日：2013-06-13

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  杨长红 ,  胡广达

IPC: C01G23/00 ,  C04B35/462 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成ZnO-TiO2体系微波介质陶瓷纳米粉体方法。本发明技术方案为：利用水溶性溶胶凝胶法精细合成ZnO-TiO2体系微波介质陶瓷纳米前驱粉体方法，包括以下步骤：1）配制Zn离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti的柠檬酸水溶液；3）ZnTiO3微波介质陶瓷纳米前驱体的合成。该发明利用价格低廉的氧化物及无机硝酸盐作为原料，避免使用昂贵的金属醇盐，合成粉体具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、同时容易实施各种元素精细掺杂改性，所获得粉体具有纳米粒度（约30nm）并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能实现后续低温烧结，有望满足LTCC应用需求。

公开(公告)号：CN116046046B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202310070815.6

申请日：2023-01-16

Applicant: 济南大学

Inventor： 黄世峰 ,  张晓芳 ,  郭瑞 ,  李文龙 ,  刘通 ,  赵耀庭 ,  林秀娟 ,  杨长红 ,  程新

IPC: G01D18/00 ,  G01K7/02 ,  G01K13/00

Abstract: 本发明提供一种利用过热预警机制确定谐振式压电换能器工作功率极限的方法，包括通过阻抗分析仪测量压电换能器的谐振频率，通过搭建压电换能器功率监控系统对输入功率进行实时监测，利用压电换能器功能元件压电陶瓷中心和边缘位置温度的偏差与相对变化速率实现工作功率极限的预警。本发明可以利用温度对压电换能器进行过热预警，进而确定压电换能器的极限工作功率和工作时间，具备设备要求低、方法简单、适用范围广等优势。

公开(公告)号：CN117922048B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410146197.3

申请日：2024-02-02

Applicant: 济南大学

Inventor： 黄世峰 ,  张晓芳 ,  林秀娟 ,  杨长红 ,  郭瑞 ,  刘通 ,  程新

IPC: B29C70/32 ,  B29C70/38 ,  B29C70/56 ,  B29L31/34

Abstract: 本发明提供一种基于湿法纤维缠绕的球形压电换能器预应力定量控制方法，包括根据预期机械抗张应力极限计算压电陶瓷球表面的界面压强和纤维产生的径向力，进而计算出定量施加预应力所需的纤维张力，通过丝嘴和压电陶瓷球壳芯模复合旋转在压电陶瓷球壳表面包覆预应力纤维，最终提高球形压电换能器的输入电功率极限。本发明利用湿法纤维缠绕在压电陶瓷球壳表面包覆纤维层，通过控制纤维张应力实现球形压电换能器预应力的定量控制，具备生产效率高、应力一致性好、适用范围广等优势。

公开(公告)号：CN118019434B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410423837.0

申请日：2024-04-10

Applicant: 济南大学

Inventor： 黄世峰 ,  刘通 ,  杨长红 ,  司景翔 ,  林秀娟 ,  程新

IPC: H10N30/082 ,  H10N30/06

Abstract: 本发明属于半导体MEMS芯片制造领域，具体涉及一种降低硅衬底压电薄膜破损率的方法，该方法包括：在硅衬底上表面生长合适的压电薄膜，进行第一步光刻，使压电薄膜图形化，其中使用多个光刻板对压电薄膜的边缘进行分步光刻，制造出阶梯状；第二步光刻，将底电极图形化；第三步光刻，将顶电极图形化；第四步光刻，将桥接绝缘层图形化；第五步光刻，将桥电极图形化；在第六步光刻，对应硅衬底上表面压电薄膜的阶梯尺寸及位置，使用光刻板在硅衬底下表面进行背腔图形化工艺，采用分步光刻，在背腔边缘制造出阶梯状。最大程度的提高了硅衬底上压电薄膜对抗机械应力的强度和日后使用中的耐久度，从而降低压电薄膜的破损率。

公开(公告)号：CN117954235A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410130546.2

申请日：2024-01-31

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  李成龙 ,  黄世峰 ,  余致尧 ,  李春刚 ,  林秀娟 ,  王守德

IPC: H01G11/58 ,  H01G11/00 ,  H01G11/84

Abstract: 本发明涉及一种深沟槽型水泥基超级电容器及其制备方法。该电容器包含金属片电极(1)、单面深沟槽型(2)水泥基电解质(3)以及吸附有电解液的海绵(4)，所述水泥基电解质由硅酸盐水泥、碳黑、减水剂、水和聚乙烯醇混合浇筑制得，单面为深沟槽型；两块水泥基电解质中间夹着海绵组成三明治结构，并用高贝利特硫铝酸盐水泥(5)进行包覆边缘，预留一个小洞灌入电解液后继续用高贝利特水泥使其完全封装得到深沟槽型水泥基超级电容器。水泥基电解质内部设计的多沟槽型保证了在同等面积块体下拥有更大的接触面积，从伏安特性曲线来看，比没有深沟槽型的性能提升了20％，有效提高了电容器的电化学性能。与其他现有技术相比，本发明的水泥基超级电容器拥有较高的充放电速率，也能保证水泥自身抗压强度，非常适合建筑领域大规模的储能应用需求。