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公开(公告)号：CN113136595B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110384951.3
申请日：2021-04-09
Applicant: 济南大学
IPC: C25B11/032 , C25B11/051 , C25B1/23 , C25B3/26
Abstract: 本发明涉及一种双功能的孔道合金电极及其制备方法，该电极以具有孔道结构的合金金属片为导电基底，孔道上宽下窄呈锥形，合金电催化剂颗粒原位负载在孔道内壁，此电极同时具有气体扩散能力和电催化还原二氧化碳活性；这种双功能的多孔合金电极采用激光轰击选区合成方法，将两种金属片上下叠放在一起后，通过激光器配备的显微镜使激光焦点汇聚于上层金属片，并使用激光对选定的点区域进行一段时间的轰击，上层金属颗粒刻蚀下层金属片形成孔道结构，同时在孔道中原位负载合金纳米颗粒，一步制得一种双功能的孔道合金电极。本发明所采用的合成方法属于常温、常压、固相、开放体系的制备方法，操作方便、易于控制、且环境友好未使用有毒反应原料。
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公开(公告)号：CN113755798A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110493632.6
申请日：2021-05-07
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种无掩膜版的图案化薄膜制备方法。本发明采用激光直写将镀膜材料镀于预处理后的待镀基底上，得到图案化薄膜。当待镀基底位于镀膜材料的上方时，镀膜材料上放上待镀基底，按照设定的图形激光照射，激光透过待镀基底，打在片状/块状镀膜材料上，被打到的镀膜材料形成材料的团簇，溅射到待镀基底上。当待镀基底位于镀膜材料的下方时，在待镀基底上放上镀膜材料，按照设定的图形激光照射，激光打到镀膜材料上，并穿透镀膜材料，该镀膜材料作为镀膜源形成材料的团簇，溅射到待镀基底上。本发明的方法不使用掩膜版，简单实用，成本低廉，并且可以简单的做到各种尺寸和材质基底的图案化镀膜。
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公开(公告)号：CN109395746B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201811330341.X
申请日：2018-11-09
Applicant: 济南大学
IPC: B01J27/043 , B01J35/02 , B01J35/10 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种柔性纸基光催化剂及其制备方法，涉及光催化剂领域。柔性纸基光催化剂的制备方法，其包括：采用镍纸作为基质，通过一步水热法制备Ni3S2/CdS纳米片/镍纸基光催化剂。通过该制备方法制备得到的柔性纸基光催化剂在可见光照射下具有显著的光催化活性。同时，该光催化剂具有柔性，可根据不同的使用环境弯曲或裁剪成不同的形状与尺寸，并且可以进行灵活的回收，从而有效地解决现有技术中的粉末光催化剂难以分离、回收的问题。因此，该光催化剂将柔性、低成本、易制造、可见光响应和易回收等特性进行了完美结合，在水危机中具有巨大的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN109433191A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811330344.3
申请日：2018-11-09
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种黏结粉体催化剂的方法，涉及粉体催化剂黏结技术领域。该方法主要是利用纳米纤维素(CNC)作为黏结剂黏结粉体催化剂。且具体包括：将粉体催化剂放置于玻璃容器(烧杯，离心管等)内；将纳米纤维素和无水乙醇加入上述玻璃容器内形成混合溶液；将粉体催化剂在混合溶液中完全分散形成均匀溶液；取适量均匀溶液滴到导电基底(玻碳电极，碳布，碳毡，钛网，钛片等)上，并进行干燥。该方法的黏结过程无污染，经济环保，同时降低制备成本。与现有技术所采用的Nafion相比，纳米纤维素的使用还可以提高电催化剂的离子传输速率，解决粉体样品因使用类似Nafion的黏结剂进行负载和黏结带来的催化剂活性和稳定性下降的问题。
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公开(公告)号：CN109395746A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811330341.X
申请日：2018-11-09
Applicant: 济南大学
IPC: B01J27/043 , B01J35/02 , B01J35/10 , C01B3/04
Abstract: 本发明公开了一种柔性纸基光催化剂及其制备方法，涉及光催化剂领域。柔性纸基光催化剂的制备方法，其包括：采用镍纸作为基质，通过一步水热法制备Ni3S2/CdS纳米片/镍纸基光催化剂。通过该制备方法制备得到的柔性纸基光催化剂在可见光照射下具有显著的光催化活性。同时，该光催化剂具有柔性，可根据不同的使用环境弯曲或裁剪成不同的形状与尺寸，并且可以进行灵活的回收，从而有效地解决现有技术中的粉末光催化剂难以分离、回收的问题。因此，该光催化剂将柔性、低成本、易制造、可见光响应和易回收等特性进行了完美结合，在水危机中具有巨大的潜在应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117316773B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311594680.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 济南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术领域。本发明采用电子束蒸发法实现Pd薄膜的构建，采用化学气相沉积法生长，并通过化学生长窗口调节，实现亚厘米级别的WSe2的制备，然后通过湿法转移，将WSe2转移至Pd薄膜上，使得WSe2与Pd形成范德华界面，实现肖特基接触，通过Pd接触构建的Pd/WSe2肖特基晶体管，其转移特性的开/关比提升了100倍，截止电流减小到10‑9 A,展现出更加优异的晶体管性能。
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公开(公告)号：CN117317044A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311132041.1
申请日：2023-09-04
Applicant: 济南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L21/36
Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域，尤其涉及一种二硒化钯基光电探测器。本发明中的PdSe2基光电探测器基于高质量的二硒化钯材料构建，光响应度为1.15×103mA·W−1，探测率为8.13×1010Jones，具有大面积均匀性和良好的光响应特性，可应用于半导体行业的大规模生产。
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公开(公告)号：CN117316773A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311594680.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 济南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术领域。本发明采用电子束蒸发法实现Pd薄膜的构建，采用化学气相沉积法生长，并通过化学生长窗口调节，实现亚厘米级别的WSe2的制备，然后通过湿法转移，将WSe2转移至Pd薄膜上，使得WSe2与Pd形成范德华界面，实现肖特基接触，通过Pd接触构建的100倍，截止电流减小到Pd/WSe2肖特基晶体管10‑9 A,展现出更加优异的晶体管性能，其转移特性的开/关比提升了。
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公开(公告)号：CN117286458A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310933969.3
申请日：2023-07-27
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及的二维材料制备技术领域，尤其涉及一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用。本发明通过流体动力学模拟管式炉内温度和气体流速，验证硒化过程中管式炉内的温度和气体流速是否均匀分布；验证硒化温度对二硒化钯薄膜合成的影响；验证前驱体厚度对二硒化钯制备的影响，比较温度和厚度对通过电子束蒸发Pd金属和后硒化合成PdSe2的质量的影响来拓宽生长参数窗口。最终制备得到高性能的二硒化钯晶圆级，并进一步将该制备方法应用与制备二硒化钯器件，构建场效应晶体管和光电探测器。可为硅工艺兼容制备圆片级高质量PdSe2二维材料提供重要参考。
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公开(公告)号：CN116840117B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310799107.6
申请日：2023-06-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及探测装置技术领域，提供了一种基于硫化铂基散射光测量的烟雾探测装置，以解决现有的基于硫化铂基散射光测量的烟雾探测装置的机动性能差、散热效果弱及不便于对探测后烟雾进行净化处理的问题，包括探测箱，所述探测箱内固定安装有探测器，所述探测箱内固定连接有导风管。本申请通过导风管、半导体制冷片、电机一、扇叶、滤网一、弹簧一等结构的设置，通过半导体制冷片的作用，可对空气进行制冷处理，在电机一、扇叶的作用下，可吹动冷空气进行流动，以达到对探测器进行散热的效果，在滤网一的作用下，可对空气中的杂质进行滤除，并配合撞击杆、凸块等结构的作用，可对滤网一上的杂质进行清理。
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