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公开(公告)号：CN103227097A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310021535.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01T1/28
Abstract: 本发明提供一种能够谋求到检测精度的提高以及结构的单纯化的离子检测装置。检测正离子的离子检测装置（1A）具备：设置有使正离子进入的离子进入口（3）的腔室（2）、被配置于腔室（2）内并且被施加负电位的转换倍增极（9）、被配置于腔室（2）内并具有与转换倍增极（9）相对并且入射从转换倍增极（9）释放出来的二次电子的电子入射面（30a）的雪崩光电二极管（30）；电子入射面（30a）在被接地的腔室（2）中相对于支撑雪崩光电二极管（30）的定位部（14）而言位于转换倍增极（9）一侧。
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公开(公告)号：CN115436854A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210617190.6
申请日：2022-06-01
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: G01R33/48 , G01R33/385 , G01R33/36 , G01R33/26 , A61B5/055
Abstract: 本发明提供一种脑测量装置，具备：静磁场形成部，其用于在测量区域形成静磁场；倾斜磁场线圈，其用于在所述测量区域形成倾斜磁场；发送线圈，其用于向所述测量区域中的受试者发送发送脉冲；检测线圈，其用于检测通过所述发送脉冲的发送而在所述受试者产生的核磁共振信号；和生成部，其基于所述检测线圈检测出的核磁共振信号来生成MR图像，所述静磁场形成部具备：以隔着所述测量区域相互相对的方式配置的第1磁极和第2磁极；用于产生磁通的第1线圈；和第1保持部件，其保持所述第1磁极和所述第2磁极，形成用于将在所述第1线圈产生的磁通分别引导至所述第1磁极和所述第2磁极的磁路。
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公开(公告)号：CN113805120A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110660553.X
申请日：2021-06-15
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 光激发磁传感器(1)具有：单元(2)，其沿测量对象配置并且封入有碱金属蒸气；泵浦激光器，其出射泵浦光；一个或多个泵浦光用镜，其关于使沿测量对象的第一方向引导的泵浦光入射至单元(2)；探测激光器(8)，其出射探测光；分割部(12)，其将探测光分割为多个；一个或多个探测光用镜，其关于使在作为与第一方向正交的方向的、沿测量对象的第二方向引导的各探测光入射至单元(2)；检测部，其在单元(2)的外部检测在单元(2)的内部与泵浦光正交的各探测光；以及导出部，其基于检测部的检测结果，导出对应于各探测光的自旋极化产生的磁旋光角的变化，并且导出关于对应于正交的区域的测量部位的磁场。
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公开(公告)号：CN110914963A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201880047424.X
申请日：2018-06-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/66 , G01R31/28 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种可对应于集成电路的高密度化的半导体制造方法。本发明的一方式所涉及的半导体制造方法具备如下工序：与具有多个芯片形成区域的晶圆的各芯片形成区域对应而形成：记忆胞；光电二极管，其输出对应于所输入的光信号的电信号；及信号处理电路，其基于自光电二极管输出的电信号而产生逻辑信号并将该逻辑信号输出至记忆胞；在形成的工序之后，将用于记忆胞的动作确认的泵浦光向光电二极管输入，检查记忆胞的动作状态；及在检查的工序之后，按每个芯片形成区域进行切割。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105938786A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610118322.5
申请日：2016-03-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种电子倍增体、光电倍增管及光电倍增器。本发明提供一种电子倍增体，其具备：主体部、在主体部的一端面开口的电子入射部、在主体部的另一端面开口并且达到电子入射部放出二次电子的通道，通道具有相互相对的第一内面及第二内面，第一内面包含凸状的第一弯折部及凹状的第二弯折部、规定第一弯折部及第二弯折部的每一个的多个第一倾斜面，第二内面包含凸状的第三弯折部及凹状的第四弯折部、规定第三弯折部及第四弯折部的每个的多个第二倾斜面，第一弯折部和第四弯折部相互相对，第二弯折部和第三弯折部相互相对，第一弯折部的前端和第三弯折部的前端的距离、相互相对的第一倾斜面及第二倾斜面的间隔、规定第一弯折部的一对第一倾斜面形成的角度、通道的长度满足规定式。
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公开(公告)号：CN102013378A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010274998.6
申请日：2010-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J35/12 , H01J2235/081 , H01J2235/083 , H01J2235/087 , H01J2235/1204 , H01J2235/1291
Abstract: 本发明涉及X射线产生用靶、X射线产生装置以及X射线产生用靶的制造方法。X射线产生用靶具备基板和靶部。基板由金刚石构成，具有相互相对的第1主面和第2主面。基板上从第1主面侧形成具有底面状的孔部。靶部由从孔部的底面朝向第1主面侧堆积的金属构成。靶部的外侧面整体与孔部的内侧面紧贴。
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公开(公告)号：CN119564212A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411234386.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
Abstract: 脑测量装置(M1)包括脑磁计模块和MRI模块，脑磁计模块包括：单元(2)；出射泵浦光的泵浦激光器(4)；将探测光向单元(2)内的与泵浦光相交的灵敏度区域出射的探测激光器(5)；检测通过了灵敏度区域的探测光的偏光面角度的光传感器组(8)；和施加偏置磁场的偏置磁场线圈(11)，MRI模块包括：用于发送规定的频率的RF脉冲的发送线圈(121)；和检测通过RF脉冲的发送而产生的核磁共振信号的接收线圈(122)，脑磁计模块和上述MRI模块被包含软磁性体的磁屏蔽件(115)包围。
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公开(公告)号：CN119535309A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411195213.4
申请日：2024-08-29
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: G01R33/032 , A61B5/245
Abstract: 本发明提供一种光激发磁传感器和脑磁仪。光激发磁传感器包括：单元；使泵浦光沿着第1方向入射到单元的内部的多个灵敏度区域的泵浦光入射部；使探测光沿着与第1方向交叉的方向入射到多个灵敏度区域的探测光入射部；向单元的内部施加偏置磁场，来决定电子自旋的共振频率的偏置磁场线圈；使电子自旋的旋转轴方向倾斜的电子自旋倾动部；检测通过灵敏度区域后的所述探测光的光传感器；和测量灵敏度区域的磁场强度的磁场测量部，偏置磁场线圈对多个灵敏度区域的各个灵敏度区域，分别施加强度相互不同的多个偏置磁场。
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公开(公告)号：CN115956281A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202180051374.4
申请日：2021-06-09
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 纽富来科技股份有限公司
IPC: H01J37/073
Abstract: 本发明的光电面电子源(1)包含：玻璃基板(40)，其接收自基板背面(44)入射的光(101)，自基板主面(43)出射激光(101)；光电面(50)，其设置于基板主面(43)，且接收激光(101)而放出光电子(102)；透镜阵列(41S)，其配置于基板背面(44)，包含用以使激光(101)向光电面(50)聚光的多个微透镜(41)；及遮光部(70)，其设置于玻璃基板(40)。遮光部(70)具有设置于基板背面(44)上由多个微透镜(41)所夹的背面侧遮光面(72)的背面侧遮光层(73)，与设置于主面侧遮光面(75)的主面侧遮光层(76)。
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