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公开(公告)号：CN108565132B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810459424.2
申请日：2018-05-15
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种具有金属氧化物纳米结构的纤维材料及其制备方法。该纤维材料中，金属氧化物以纳米结构形式有序均匀分布在导电纤维表面，金属氧化物的体积不超过导电纤维体积的30％，该纤维既保持原有性能，又具备较好的表界面和电容器性能，可以有效改善纤维的性能或赋予纤维新的性能。本发明是采用过渡金属或其合金粉末为原料，水为溶剂，在常压等离子体的作用下，利用等离子体和水对金属的双重腐蚀氧化反应，将微米尺度的金属及其合金氧化成纳米尺度的金属氧化物，沉积在对电极的导电纤维表面，并在表面能的作用下自组装成均匀有序的纳米结构，最终制备出具有金属氧化物纳米结构的纤维材料。
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公开(公告)号：CN107934937B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201711192107.0
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: C01B32/158 , C01B25/00
Abstract: 本发明公开了一种碳材料‑黑磷烯复合气凝胶及其制备方法和应用，所述复合气凝胶是由二维黑磷纳米片网络与碳材料网络相互缠绕而构成。与现有制备气凝胶方法不同，本发明方法无需使用化学交联剂，且制备过程步骤简单、操作方便，短时高效，并对环境和材料表面无污染；本发明制备的碳材料‑黑磷烯复合气凝胶具有较低的密度、较高的孔隙率和比表面积以及较好的光热转换效果，其结合了黑磷烯优异的物理化学性能、碳材料的功能特点以及气凝胶超轻多孔的特性，为进一步拓展黑磷烯的产品系列和应用奠定了坚实基础。
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公开(公告)号：CN109731483A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811599708.8
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: B01D71/26 , B01D71/34 , B01D71/42 , B01D71/48 , B01D71/68 , B01J20/26 , B01J20/28 , D04H1/728 , B01D69/10 , B01D69/02 , B01D67/00 , B01J20/30 , D06M10/02
Abstract: 本发明公开了一种多维度亲疏水结构复合纳米纤维膜及其制备方法。这种多维度亲疏水结构复合纳米纤维膜包括由上至下依次设置的第一疏水层、第一亲水层、第二亲水层、第二疏水层；其中，第一疏水层和第二疏水层的水接触角分别大于90度，第一亲水层和第二亲水层的水接触角分别小于70度；第二疏水层为纳米纤维基膜。同时也公开了这种多维度亲疏水结构复合纳米纤维膜的制备方法。本发明利用等离子体技术和静电纺丝技术即可制备出多维度亲疏水梯度结构复合纳米纤维膜，且此膜材料可以实现颗粒物的定向吸附固定，具备较好的过滤效果。本发明制备过程安全环保、无废水和废化学试剂产生，制备方法简单易行。
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公开(公告)号：CN108565132A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810459424.2
申请日：2018-05-15
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种具有金属氧化物纳米结构的纤维材料及其制备方法。该纤维材料中，金属氧化物以纳米结构形式有序均匀分布在导电纤维表面，金属氧化物的体积不超过导电纤维体积的30％，该纤维既保持原有性能，又具备较好的表界面和电容器性能，可以有效改善纤维的性能或赋予纤维新的性能。本发明是采用过渡金属或其合金粉末为原料，水为溶剂，在常压等离子体的作用下，利用等离子体和水对金属的双重腐蚀氧化反应，将微米尺度的金属及其合金氧化成纳米尺度的金属氧化物，沉积在对电极的导电纤维表面，并在表面能的作用下自组装成均匀有序的纳米结构，最终制备出具有金属氧化物纳米结构的纤维材料。
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公开(公告)号：CN107934937A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711192107.0
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: C01B32/158 , C01B25/00
Abstract: 本发明公开了一种碳材料-黑磷烯复合气凝胶及其制备方法和应用，所述复合气凝胶是由二维黑磷纳米片网络与碳材料网络相互缠绕而构成。与现有制备气凝胶方法不同，本发明方法无需使用化学交联剂，且制备过程步骤简单、操作方便，短时高效，并对环境和材料表面无污染；本发明制备的碳材料-黑磷烯复合气凝胶具有较低的密度、较高的孔隙率和比表面积以及较好的光热转换效果，其结合了黑磷烯优异的物理化学性能、碳材料的功能特点以及气凝胶超轻多孔的特性，为进一步拓展黑磷烯的产品系列和应用奠定了坚实基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107777674A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710882526.0
申请日：2017-09-26
Applicant: 深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种利用常压等离子体制备二维材料的方法。该方法基于常压微等离子体技术构建一种阴极为材料晶体的剥离装置，对材料晶体进行剥离，得到二维晶体薄片。与其他剥离方法相比，本发明方法步骤简单、操作方便，短时高效，无需使用复杂昂贵的设备和额外的化学试剂，且对环境和材料表面无污染，特别适用于制备二维黑磷材料。此外，该方法在常温常压条件下即可实现，过程更易于控制，有利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN107629784A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710797539.8
申请日：2017-09-06
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: C09K11/02 , C09K11/85 , A61B5/1172
Abstract: 本发明涉及一种显影剂及其制备方法和一种指纹显现方法，其中显影剂的制备方法是将上转换荧光材料用等离子体处理，然后与熏显剂混合，均匀分散后得到。显影剂制备工艺简单，将该显影剂直接施于待测指纹处，红外光照射，即可显现指纹，可以一步显现指纹，相比目前已知的指纹显现方法，速度更快，操作更简单，生产成本更低，而且该显影剂对指纹表面残留物的吸附力更强，能够有效解决背景干扰的问题，达到良好的指纹显现结果。
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公开(公告)号：CN117984549A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410175056.4
申请日：2024-02-07
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: B29C64/118 , B29C64/379 , B29C64/393 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y50/02 , B33Y70/10 , B29C71/00 , A61L27/18 , A61L27/56
Abstract: 本发明公开了一种三维打印高分子基组织工程支架的制备方法，包括以下步骤：S1、将聚合物材料进行熔融处理，并搅拌混合均匀，利用熔融沉积技术进行三维打印，得到高分子基多孔支架；S2、采用大气压等离子射流技术对所述高分子基多孔支架进行表面修饰，得到表面活化的三维打印高分子基组织工程支架。本发明三维打印高分子基组织工程支架的制备方法将大气压等离子体处理技术应用于三维打印高分子基的表面改性处理，在避免其他表面处理技术问题发生的同时，可以改善高分子支架表面的亲水性和生物相容性，同时引入极性基团，实现高分子支架表面的官能团化，提高表面活性。
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公开(公告)号：CN113800521A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111114668.5
申请日：2021-09-23
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: C01B32/921 , C01B32/914 , C01B32/949 , A61N1/05
Abstract: 本发明提供了一种高稳定的自连结MXene纳米片及其制备方法和应用，具体提供了一种表面改性的MXene纳米片，所述MXene纳米片中具有Na离子和磺酸插层，同时表面还具有聚多巴胺层和聚乙烯二氧噻吩层；所述聚多巴胺层和聚乙烯二氧噻吩层依次设置；具体地，先在具有Na离子和磺酸插层的MXene纳米片表面聚合聚多巴胺层，然后再原位聚合聚乙烯二氧噻吩层。本发明的MXene纳米片各种修饰之间相互作用，同时强化了MXene纳米片在生物体内的物理化学稳定性、成膜能力、生物相容性等多种性质，因此其能够作为电极修饰材料、外周神经的细胞修复材料、神经电极的导线、中枢神经电极的位点等。
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公开(公告)号：CN112074069A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010930805.1
申请日：2020-09-07
Applicant: 深圳先进技术研究院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明属于等离子体技术领域，涉及一种常压射频低温等离子体装置，包括自动点火部分和等离子体放电主体；自动点火部分包括点火元件和移动装置；等离子体放电主体包括用于射频的阳极、阴极以及介质管，阴极和阳极设置在介质管上；介质管上设有进气口，点火元件固定在移动装置上，移动装置带动点火元件进入或退出介质管。本发明能够在保持介质管中空的情况下，利用自动点火结构降低击穿电压，从而在常压条件下产生低温等离子体，该自动点火结构在点火成功后，移出等离子体放电区域，并且操作简单易行，可使用低成本工作惰性气体，并在一定程度上保护电极不受腐蚀，避免金属杂质引入，降低等离子体装置损耗。
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