公开(公告)号：CN117658624A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311540206.9

申请日：2023-11-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  张欣悦 ,  戚俊磊 ,  蔡婧涵

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/008 ,  H01G4/30 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种X8R型陶瓷电介质材料及其制备方法和应用，本发明的制备方法，包括：(1)按照化学计量式BaTiO3‑x Bi4Ti3O12‑y Nb2O5‑z NiO‑w Mn3O4称取原料，得到介质材料混合粉；其中，x、y、z和w表示摩尔百分数，且以BaTiO3的摩尔量为基准，1％≤x≤2.5％，1％≤y≤2％，0≤z≤1％，0≤w≤1％，且z和w不同时为0；(2)将所述介质材料混合粉和粘结剂混合并研磨造粒，经陈化和过筛后，压片成型，得到陶瓷生坯；(3)将所述陶瓷生坯排胶后进行烧结，得到X8R型陶瓷电介质材料。本发明能够生成具有核壳结构的X8R型陶瓷电介质材料。

公开(公告)号：CN117229052A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311044066.6

申请日：2023-08-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  陈怡颖 ,  戚俊磊 ,  南策文

IPC: C04B35/46 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种C0G型介质陶瓷材料及其制备方法和应用。形成该C0G型介质陶瓷材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，5.5摩尔％～15摩尔％的Nd2O3，3摩尔％～15.5摩尔％的Bi2O3和67摩尔％～68摩尔％的TiO2。该C0G型介质陶瓷材料具有高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。具体地，C0G型介质陶瓷材料的介电常数不小于120，介电损耗不大于0.0004，介电常数温度系数为‑30ppm/℃～+30ppm/℃，介电常数温度系数满足C0G型介质陶瓷规格要求。

公开(公告)号：CN116813331A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310840763.6

申请日：2023-07-10

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  蔡婧涵 ,  戚俊磊

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明公开了一种钛酸锶陶瓷及其制备方法和应用。钛酸锶陶瓷的化学式包括SrTiNbxO3，其中，0＜x≤0.012。该钛酸锶陶瓷具有高的介电常数，同时保持了极低的介电损耗，能够更大限度地满足使用需要，具体地，室温1kHz下，钛酸锶陶瓷的介电常数可为3.5×104‑6×104，介电损耗小于1％。