过渡金属原子修饰的纳米多孔ReSe2材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115537622B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202210644360.X

    申请日:2022-06-08

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 谭勇文 陈德超

    Abstract: 本发明公开了一种过渡金属原子修饰的纳米多孔ReSe2材料及其制备方法,化学式为NP TM‑ReSe2,TM为过渡金属原子;具有规则的双连续三维多孔微观结构,所述的过渡金属原子均匀地嵌入具有三维多孔结构的ReSe2晶格上,且尺寸在亚纳米尺度;所述ReSe2材料呈金属相。本发明的过渡金属原子修饰纳米多孔ReSe2材料,有效地调控了材料的物相变化,使ReSe2材料从半导体相转化为金属相,大大提升了材料的导电性,在电催化析氢方面展现了优越的性能。

    一种银铋双功能电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115566132A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211303279.1

    申请日:2022-10-24

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 彭鸣 谭勇文

    Abstract: 本发明公开了一种银铋双功能电极及其制备方法和应用,该双功能电极的制备方法包括以下步骤:(1)熔融;(2)刮涂;(3)腐蚀。采用本发明方法制备的银铋双功能电极表现出特有的循环伏安响应和阶梯充放电平台,所构筑的银铋电池表现出循环稳定性,能够作为稳定的电源发挥作用。本发明银铋双功能电极制备简单方便,用此电极制备得到的电池使用过程中安全性高,电极替换方便,为开发新储能体系和发展材料科学提供了一种新思路,应用前景广阔。

    一种纳米多孔Cu2TiSn哈斯勒合金的制备方法及其催化应用

    公开(公告)号:CN118186239A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410297614.4

    申请日:2024-03-15

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种纳米多孔Cu2TiSn哈斯勒合金的制备方法及其催化溶液中的还原反应应用。通过合金条带的化学或电化学腐蚀,实现合金的物相转变和多孔结构构筑,得到纳米多孔三元金属间化合物材料。该材料对溶液中还原反应具有催化活性,能够促成亚甲基蓝溶液的化学还原反应和硝酸盐的电催化还原制氨反应。因此,本专利涉及的哈斯勒合金制备简单,催化活性突出,具有良好的应用前景。

    一种银铋双功能电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115566132B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202211303279.1

    申请日:2022-10-24

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 彭鸣 谭勇文

    Abstract: 本发明公开了一种银铋双功能电极及其制备方法和应用,该双功能电极的制备方法包括以下步骤:(1)熔融;(2)刮涂;(3)腐蚀。采用本发明方法制备的银铋双功能电极表现出特有的循环伏安响应和阶梯充放电平台,所构筑的银铋电池表现出循环稳定性,能够作为稳定的电源发挥作用。本发明银铋双功能电极制备简单方便,用此电极制备得到的电池使用过程中安全性高,电极替换方便,为开发新储能体系和发展材料科学提供了一种新思路,应用前景广阔。

    过渡金属原子修饰的纳米多孔ReSe2材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115537622A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202210644360.X

    申请日:2022-06-08

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 谭勇文 陈德超

    Abstract: 本发明公开了一种过渡金属原子修饰的纳米多孔ReSe2材料及其制备方法,化学式为NP TM‑ReSe2,TM为过渡金属原子;具有规则的双连续三维多孔微观结构,所述的过渡金属原子均匀地嵌入具有三维多孔结构的ReSe2晶格上,且尺寸在亚纳米尺度;所述ReSe2材料呈金属相。本发明的过渡金属原子修饰纳米多孔ReSe2材料,有效地调控了材料的物相变化,使ReSe2材料从半导体相转化为金属相,大大提升了材料的导电性,在电催化析氢方面展现了优越的性能。

    一种金属单原子修饰的三维多孔MXenes复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN114643072A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202111401690.8

    申请日:2021-11-24

    Applicant: 湖南大学

    Inventor: 谭勇文 彭伟 彭鸣

    Abstract: 本发明公开了一种金属单原子修饰的三维多孔MXenes复合材料的可控制备方法。本发明制备的复合材料以三维多孔双非金属掺杂的MXenes纳米片为基底,掺杂金属元素以单原子的形式锚定在上述纳米片上。同时,该制备方法简单、快捷高效,具有普适性,能够制备一系列不同金属单原子修饰的三维多孔MXenes复合材料。

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