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公开(公告)号：CN111413376A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010280246.4
申请日：2020-04-10
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本申请适用于无损检测技术领域，提供了一种同面阵列电容传感器成像方法，上述同面阵列电容传感器成像方法包括：建立电容传感器和待测物体的三维模型，在三维模型中确定求解区域，并将求解区域划分成有限个求解单元；分别对电容传感器上的每组电极施加循环的点电压激励信号，并计算求解区域的原始敏感场；获取每个求解单元的中心坐标和所有电极对的相对点坐标，并根据求解单元的中心坐标和电极对的相对点坐标确定抗噪声算子；根据原始敏感场和抗噪声算子确定优化敏感场；根据优化敏感场确定介电常数分布矩阵，并以介电常数分布矩阵为灰度值进行成像。上述方法可以解决同面阵列电容传感器成像时噪声影响成像效果的问题。
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公开(公告)号：CN109283230A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811449731.9
申请日：2018-11-30
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/24
CPC classification number: G01N27/24
Abstract: 本发明公开了一种平面阵列电容成像方法及系统，涉及图像重建技术领域。本发明中，平面电容成像系统包括电容传感器、数据测量及采集模块、计算机；电容传感器将被测物的物场介质的分布转化为电容值；数据测量及采集模块用于测量和采集任意两个电极片间的电容值，并将测得电容数据传输至计算机；计算机通过模糊C均值聚类算法对电容数据进行数据优化，将优化后的电容值作为图像重建值，并结合非迭代图像处理算法或迭代图像处理算法进行缺陷图像的重建，得到重建图像。与传统成像方法相比较，本发明能解决电容数据受电极片位置影响及检测环境的噪声干扰的问题，得到更加稳定、高质量的被测场图像。
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公开(公告)号：CN107422002A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710191853.1
申请日：2017-03-28
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/24
CPC classification number: G01N27/24
Abstract: 本发明涉及一种基于局部分形维的平面阵列电容成像缺陷检测定位方法，包括如下步骤：S1将被测样件平行正对置于平面电极阵列传感器上，测量此时的电容值，作为测量物场电容值；S2图像重建：利用LBP算法重建出介电常数分布图像；S3图像处理：提取伪色图像中缺陷颜色所对应的颜色矩阵；S4将重建图形分块，并计算每块的分形维维数，根据重建图像的分块分形维维数直方图确定阈值；S5标记出分形维维数大于阈值的方孔，得到最终标记结果。本申请针对航空用复合材料结构的粘接层缺陷，提出基于平面阵列电极电容成像检测方法，将分形理论应用到平面阵列电极电容成像重建图像的缺陷自动定位中，实现对重建图像进行缺陷的自动标记，提高了缺陷定位精度。
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公开(公告)号：CN106814114A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710024565.7
申请日：2017-01-11
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/24
Abstract: 本发明涉及一种同面电容阵列成像传感空/满场设定方法，其包括以下步骤：(1)、将被测物放置于传感器极板上，测量此时被测物的电容值作为物场电容值；(2)、以传感器极板的几何中心为轴心，将被测物逆时针旋转90度，测量此时被测物的电容值作为空场电容值；(3)、继续将被测物逆时针旋转90度，测量此时被测物的电容值作为满场电容值；(4)、将空场电容值与满场电容值分别与物场电容值做差，并分别对两组差值电容进行图像重建，观察所得差值重建图像；(5)、比较两幅差值重建图像中红蓝两区域是否符合相应的旋转角度关系，确定缺陷。该方法简易了空场、满场设定过程，提高了介电场图像重建质量。
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公开(公告)号：CN104007769B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410179399.4
申请日：2014-04-30
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种高空气球电池标定用太阳跟踪控制方法。该方法采用四象限传感器和视日运动轨迹算法两种追踪模式；太阳跟踪控制系统除设有主程序外，还设有自动搜寻目标子程序、跟踪点附近防抖动子程序、高速返回三圈子程序，以保证高空太阳跟踪的精度及可靠性；通过无线电对太阳跟踪控制系统进行远程遥控和跟踪状态检测传感器信号下传，地面依据该信号进行控制模式选择和系统启停；跟踪状态传感器及多块被标定太阳能电池的输出电压信号、环境温度、湿度、气压、吊篮内温度等检测信号通过CR1000采集并存储在记录仪中。本发明旨在提供一种移动载体上使用的高精度、高可靠性太阳跟踪控制方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104240974A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410445954.3
申请日：2014-09-04
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种电磁发射用组合体金属固体电枢及其制造方法。所述组合体金属固体电枢由形状相似的纯铜块（3）、纯铝块（2）和工业纯钛块（1）按照与电磁发射轨道接触面积为1:2:1.3的比例和导电率从小到大的排列顺序，通过硬铝双燕尾槽连接键Ⅰ、Ⅱ（4、4′）过盈配合组合为一体，所述组合体金属固体电枢为C型电枢。本发明采用分段组合的技术，巧妙地实现了电导率的梯度分布，克服了单一材料难以实现导电率梯次变化的难题或者难以制备电导率梯度变化的问题。由于从前段到后段，导电率逐渐变小而强度增大，有利于实现电流的再分配，减弱过于集中于单一尾部的现象，提高了固体电枢的抗烧蚀能力和抗电磁力能力。
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公开(公告)号：CN103695989A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310725956.3
申请日：2013-12-25
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种空间微电子行业用纳米二硫化钼-铜电接触薄膜及其制备方法。所述薄膜组分质量比为铜:二硫化钼=（94～97）:（6～3），薄膜厚度为10~70微米，薄膜孔隙率小于1%；电导率真空热处理后最高可达62IACS%；在滑动速度为≤0.2米/秒、载荷为1牛顿时，薄膜摩擦系数≤0.1。所述制备方法是：该薄膜以纳米二硫化钼颗粒为固体润滑剂，通过电刷镀技术将纳米二硫化钼颗粒均匀分散在铜基质中，铜基质通过电化学原理沉积出来并将纳米二硫化钼颗粒紧密包裹。本发明显著改善了真空环境铜的摩擦磨损性能，是一种可以从一定程度上代替金-二硫化钼（Au-MoS2）薄膜作为空间微电子产业用的电接触薄膜材料。
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公开(公告)号：CN102692447A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210190147.2
申请日：2012-06-11
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种小型化的强脉冲单轨放电烧蚀装置。所述装置为长方体结构，采用模块式设计可灵活拆卸、安装。所述装置的强脉冲电流为0≦I≦400KA；强脉冲耐受最大电压为12000V；镗口尺寸调节范围为8-15mm；利用非接触线性CCD测量系统进行膛口扩张尺寸测试，精度达到0.5μm；脉冲放电烧蚀温度测量精度达到0.5℃；装有静态电阻应变仪进行精确装配应力调节，应变测试精度达0.1με。本发明适应多种脉冲放电条件的需要，装配应力可调节，烧蚀温度的测试精度高，可以经过非接触式光纤测温表征，提供准确的烧蚀温度。能够进行精密的材料形变测定，从而为材料的选型提供技术数据。
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公开(公告)号：CN102691024A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210190235.2
申请日：2012-06-11
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种铜-二硫化钼自润滑导电涂层及其制备方法。该涂层以铜和二硫化钼粉末为原料，采用烧结破碎法制备铜-二硫化钼复合粉末，利用大气等离子喷涂技术制备铜-二硫化钼复合涂层。本发明所制得铜-二硫化钼复合涂层的组分含量为铜:二硫化钼:余量=(75~90):(8~22):(2~3)，厚度约为150~300μm。所得铜-二硫化钼复合涂层显著改善了真空下铜的摩擦磨损性能，是一种优良的固体导电自润滑涂层。
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公开(公告)号：CN119831925A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411646211.2
申请日：2024-11-18
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供一种异形陶瓷基复合材料构件的均匀性表征方法及设备，该方法包括：对CT断层图像序列进行图像前景分割，得到复合材料构件的前景轮廓图像序列；基于前景轮廓图像序列对CT断层图像序列进行孔隙缺陷分割，得到孔隙缺陷图像序列；基于孔隙缺陷图像序列进行三维空间分块，并获取分块后得到的各区块的平均灰度值；将平均灰度值替换到前景图像序列中对应区块进行三维重建，完成对复合材料构件均匀性的可视化表征。本发明解决了现有技术中的材料均匀性表征方法误差较大，无法精确的对异形构件均匀性分布差异进行精确的量化表征的问题。
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