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公开(公告)号：CN102768897B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210209810.9
申请日：2009-07-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01F38/14
CPC classification number: H01F38/14 , H01F17/0013 , H01F27/2804 , H01F27/40 , H01F2017/0073 , H01F2017/0086 , H01F2027/2809 , H01F2038/143 , H01L23/535 , H01L27/1203 , H01L28/10 , H01L29/0649 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供了一种电路器件，包括：第一电感器，所述第一电感器由第一螺旋状导电图案构成；第一绝缘层，所述第一绝缘层被提供在所述第一电感器的上面或者下面；第二电感器，所述第二电感器位于通过所述第一绝缘层与所述第一电感器重叠的区域中并且由第二螺旋状导电图案构成；以及第三电感器，所述第三电感器被串联地连接至所述第二电感器并且由第三螺旋状导电图案构成。
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公开(公告)号：CN105388560A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510520035.2
申请日：2015-08-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明涉及一种光学半导体器件。提供了可防止在光学半导体器件中电信号的质量降低的技术。在与电信号传输线的延伸方向垂直的横截面中，电信号传输线被包括第一噪声截止布线、第二插塞、第一层布线、第一插塞、屏蔽半导体层、第一插塞、第一层布线、第二插塞和第二噪声截止布线的屏蔽部包围，屏蔽部被固定到参考电位。由此，屏蔽部阻挡由于源自半导体衬底的磁场或电场的作用而导致的影响电信号传输线的噪声。
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公开(公告)号：CN103066062B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210530196.6
申请日：2008-01-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L23/58 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/522 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：布线（10）和虚拟导体图形（20）。所述布线（10）为具有5GHZ或更高频率的电流流经的布线。在布线（10）附近，形成了虚拟导体图形（20）。每一虚拟导体图形（20）的平面形状等同于具有大于180°的内角的形状。
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公开(公告)号：CN104422811A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410450007.3
申请日：2014-09-05
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种传感器装置，其能够降低成本。该传感器装置包括印刷电路板、第一端子、第二端子、互连线和半导体装置。第一端子和第二端子设置在印刷电路板上并且耦接到电力线。第二端子耦接到电力线的相对于第一端子的下游部分。互连线设置在印刷电路板上以将所述第一端子和所述第二端子彼此耦接。换句话讲，互连线与电力线并联耦接。半导体装置安装在印刷电路板上并且包括互连层和形成在互连层中的电感器。
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公开(公告)号：CN101355059B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200810144562.8
申请日：2005-11-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L21/823878 , H01L23/585 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体芯片(100)，包括逻辑单元和模拟单元(153)。而且，该半导体芯片(100)包括硅衬底(101)；在硅衬底(101)上形成的第一绝缘膜(123)至第六绝缘膜(143)；以及由在第一绝缘膜(123)至第六绝缘膜(143)中掩埋的第一导电环(125)至第六导电环(145)构成的环形密封环(105)，环形密封环(105)包围逻辑单元和模拟单元(153)的周边。在密封环区(106)中，形成用作非导电部件(104)的pn结，其阻挡从逻辑单元通过密封环(105)到模拟单元(153)的路径中的导电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102768897A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210209810.9
申请日：2009-07-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01F38/14
CPC classification number: H01F38/14 , H01F17/0013 , H01F27/2804 , H01F27/40 , H01F2017/0073 , H01F2017/0086 , H01F2027/2809 , H01F2038/143 , H01L23/535 , H01L27/1203 , H01L28/10 , H01L29/0649 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供了一种电路器件，包括：第一电感器，所述第一电感器由第一螺旋状导电图案构成；第一绝缘层，所述第一绝缘层被提供在所述第一电感器的上面或者下面；第二电感器，所述第二电感器位于通过所述第一绝缘层与所述第一电感器重叠的区域中并且由第二螺旋状导电图案构成；以及第三电感器，所述第三电感器被串联地连接至所述第二电感器并且由第三螺旋状导电图案构成。
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公开(公告)号：CN101106148B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710128354.4
申请日：2007-07-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H01L27/146 , G06K9/00
CPC classification number: H01L31/02 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14678
Abstract: 固态图像拾取器件1是背表面入射类型的，并包括半导体衬底10、半导体层20和光接收单元30。固态图像拾取器件1将入射到半导体衬底10的背表面S2上的光光电转换为信号电荷，以对物体成像。半导体衬底10具有电阻率ρ1。半导体层20设置在半导体衬底10的表面S1上。半导体层20具有电阻率ρ2。其中，ρ2＞ρ1。光接收单元30形成在半导体层20中。光接收单元30接收由光电转换产生的信号电荷。
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公开(公告)号：CN119314982A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410923471.3
申请日：2024-07-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括半导体衬底、第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈、绝缘层和第一屏蔽件。该半导体衬底具有器件区域和周边区域。在平面图中，该周边区域存在于该器件区域周围。该第一线圈和该第二线圈被布置在该器件区域上并且被布置在平面图中的第一方向上。该第三线圈和该第四线圈经由该绝缘层分别与该第一线圈和该第二线圈相对。该第一屏蔽件布置在该半导体衬底与该第一线圈和该第二线圈之间并且在平面图中与该第一线圈和该第二线圈重叠。该第一屏蔽件在与该第一方向正交的第二方向上的宽度大于该第一线圈在该第二方向上的宽度和该第二线圈在该第二方向上的宽度。该第一屏蔽件被电连接到参考电位。
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公开(公告)号：CN118899285A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410421116.6
申请日：2024-04-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L25/16
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：经由第一键合材料安装在芯片安装部分上的第一半导体芯片；以及经由第二键合材料安装在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：保护膜；以及在保护膜的第一开口部分中从保护膜被暴露的第一焊盘电极。第二半导体芯片经由第二键合材料安装在第一半导体芯片的第一焊盘电极上。第二键合材料包括：与第一焊盘电极接触的第一构件；以及被插入在第一构件与第二半导体芯片之间的第二构件。第一构件是膜状导电键合材料，并且第二构件是膜状绝缘键合材料。
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