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公开(公告)号：CN106024963B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610571961.7
申请日：2016-07-20
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池效率的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，随后对负载有铜锌锡硫薄膜的钼基片进行加热处理，待基片升高到150℃时，采用真空热蒸发法在铜锌锡硫薄膜上面生长硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，大大提高了铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池的效率。此外，本发明可操作性强，容易实现，能用于薄膜太阳能电池的制备，对太阳能电池效率的提高有着重要贡献。
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公开(公告)号：CN106783966A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710017041.5
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L29/66984 , H01L43/12
Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法。该方法通过改变样品温度有效调控了GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合，具体：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；其次，调整光路，使1064nm波长的激光入射到GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品上，使激光光斑位于所述样品两个电极中间，并使激光入射角为30°；最后，将所述样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。本发明方法可行性高，调控效果显著，且实施简便。
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公开(公告)号：CN106708146A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710017005.9
申请日：2017-01-11
Applicant: 福州大学
IPC: G05F1/46
CPC classification number: G05F1/463
Abstract: 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法。该方法通过改变样品温度有效调控GaAs/AlGaA二维电子气中线偏振光致电流：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品，并在样品对角上沉积铟电极；其次，调整光路，使入射激光波长为1064nm；最后，将样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的线偏振光致电流。本发明方法调控效果显著，且实施简便。
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公开(公告)号：CN106098936A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610591480.2
申请日：2016-07-26
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L45/04 , G11C13/0009 , H01L45/16
Abstract: 本发明涉及一种忆阻器及增强其电子突触功能的方法，该忆阻器包括：一衬底；一第一端电极，设置于衬底上；一经等离子处理的氧化物介质，设置于所述第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的右侧，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的右侧；若所述氧化物介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述氧化物介质的上方。本发明通过等离子处理氧化物介质，增强了突触权重变化率的重现性和调节范围，从而提升突触性能。
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公开(公告)号：CN103257036B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310189745.2
申请日：2013-05-21
Applicant: 福州大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及一种室温下测量垂直腔面发射激光器腔模劈裂的方法，通过光弹性调制器对垂直腔面发射激光器发出的激光进行调制，在光电探测器探测的光强信号中，包含被光弹调制器调制的沿两个互相垂直光学主轴方向偏振的激光出射模式的光强差，通过改变PEM的位相调制幅度φ0（实际上只需改变两次φ0的值），就可以将VCSEL器件沿两个互相垂直光学主轴方向偏振的激光出射模式的光谱分离出来，从而得到腔模劈裂值。本发明可以在室温下用具有普通分辨率的光谱系统准确获得垂直腔面发射激光器的腔模劈裂，且测量设备十分简单，操作步骤简便快捷，有利于日后推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531660A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310486713.9
申请日：2013-10-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1828 , H01L21/02474 , H01L21/02499 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用，采用化学浴沉积法制备薄膜，属于非真空化学气相沉积，该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率，测试表明：当在ZnS中掺杂2at.%的In时，薄膜的杂质相少、光学透过率高（可见光区的光学透过率约为85%）、电阻率低（2.6×105Ωcm）。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。
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公开(公告)号：CN116519142A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310726604.3
申请日：2023-06-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种用三维拓扑绝缘体薄膜进行偏振探测的方法。该方法通过用三维拓扑绝缘体(Bi0.8Sb0.2)2Te3薄膜作为偏振探测器件，通过转动探测器件获得不同激光入射角下的光电流，然后通过对比多次测试下计算测得光电流与参考光电流的比值，唯一确定所探测激光的偏振状态。其原理为，通过转动四分之一波片可获得不同偏振状态下的光电流，接着用通过公式拟合可获得圆偏振光和线偏振光的光电流参考值，通过对比相反入射角下测得的光电流与参考光电流的比值确定唯一相同的偏振状态，且可通过背栅电压调节探测器件的性能兼顾圆偏振状态和线偏振状态的探测，以确定探测到的激光的偏振状态，计算得出斯托克斯参数。
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公开(公告)号：CN111179173B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201911371191.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于离散小波变换和坡度融合算法的图像拼接方法，先对参考图像和目标图像进行投影变换，再经过SURF算法提取特征点并利用KNN算法和RANSAC算法进行配准，然后寻找最佳缝合线确定融合区域及其掩模图，进行离散小波变换后使用坡度融合算法对分解的低频区域和高频区域分别进行融合，利用离散小波逆变换生成融合图像，最后利用掩模图进行拼接得到最终的拼接图像。本发明可以提高图像拼接的质量。
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公开(公告)号：CN110328361B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201910678271.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅包覆的骨头状金纳米棒及其制备方法，其是采用种子介导生长法制备骨头状的金纳米棒，然后将硅源在含强碱的金纳米棒溶液中进行水解，使生成的二氧化硅吸附金纳米棒表面，而制得所述二氧化硅包覆的骨头状金纳米棒。本发明制备的金纳米棒具有骨头形状，并且具有独特的等离子体共振吸收峰，其横轴与纵轴等离子体共振吸收峰之间呈现出连续上升的趋势，使其在宽带范围的光吸收增强，从而可用于光‑电转换等新型电子器件的制备。本发明方法相对简单，重复性好，所使用的原料广泛易得，生产成本低廉，适于大范围生产推广。
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公开(公告)号：CN109146861B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810880470.X
申请日：2018-08-04
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种改进的ORB特征匹配方法，包括以下步骤：步骤S1:采用改进的FAST14‑24方法进行角点的初步提取,得到角点；步骤S2:根据得到的角点，采用Shi‑Tomasi角点检测算法进行特征点优选，得到特征点；步骤S3:利用灰度质心法对特征点集进行处理确定特征点的方向；步骤S4:根据特征点集，采用类视网膜描述符提取算法，得到特征描述符；步骤S5:根据得到的特征描述符，采用学习的方法来提取低相关性的采样点对的位置，得到优化的特征描述符。步骤S6:使用汉明距离进行特征匹配。本发明得到的优化的特征描述符相比现有的rBRIEF描述符，具有更好的鲁棒性和更高的精度。
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