碳质材料、碳质材料的制造方法、薄片化石墨的制造方法及薄片化石墨

    公开(公告)号:CN103189312A

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN201180043267.3

    申请日:2011-11-28

    Abstract: 本发明提供一种石墨烯间的对向状态的不均较少的碳质材料及其制造方法,以及可以容易且大量得到更薄片化的石墨的薄片化石墨的制造方法及薄片化石墨。一种碳质材料,在石墨烯叠层体的石墨烯间插入有层间物质,其中,该碳质材料为膨胀化石墨,在XRD图谱中的(2θ)为7度~12度的范围、18度~24度的范围分别具有衍射峰,且25度~27度的范围的衍射峰高度比18度~24度的衍射峰高度低,在所述(2θ)为7度~12度的范围显现的峰的半值宽为4度以下,及将片状石墨或片状膨胀石墨的至少一部分浸渍于电解质水溶液中,进行电化学处理的碳质材料的制造方法,以及具备通过对上述碳质材料施加剥离力而得到薄片化石墨的工序的薄片化石墨的制造方法及由此得到的薄片化石墨。

    碳质材料、碳质材料的制造方法、薄片化石墨的制造方法及薄片化石墨

    公开(公告)号:CN103693637A

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201310586599.7

    申请日:2011-11-28

    Abstract: 本发明提供一种石墨烯间的对向状态的不均较少的碳质材料及其制造方法,以及可以容易且大量得到更薄片化的石墨的薄片化石墨的制造方法及薄片化石墨。一种碳质材料,在石墨烯叠层体的石墨烯间插入有层间物质,其中,该碳质材料为膨胀化石墨,在XRD图谱中的(2θ)为7度~12度的范围、18度~24度的范围分别具有衍射峰,且25度~27度的范围的衍射峰高度比18度~24度的衍射峰高度低,在所述(2θ)为7度~12度的范围显现的峰的半值宽为4度以下,及将片状石墨或片状膨胀石墨的至少一部分浸渍于电解质水溶液中,进行电化学处理的碳质材料的制造方法,以及具备通过对上述碳质材料施加剥离力而得到薄片化石墨的工序的薄片化石墨的制造方法及由此得到的薄片化石墨。

Patent Agency Ranking