公开(公告)号：CN102244054A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110196836.X

申请日：2011-03-11

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  陈键辉 ,  刘沧宇 ,  尤龙生

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/481 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底中或该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一孔洞，自该基底之该上表面朝该下表面延伸并露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。

公开(公告)号：CN102148202A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110035221.9

申请日：2011-02-09

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  杨铭堃 ,  刘沧宇 ,  尤龙生

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；一孔洞，自该基底的该上表面朝该下表面延伸；一绝缘层，位于该孔洞的侧壁上；以及一材料层，位于该孔洞的侧壁上，其中该材料层与该基底的该上表面之间隔有一距离，且该材料层的厚度朝该下表面的方向递减。本发明不仅节省了图案化制程，还可避免或减轻导电层发生破裂或应力过大等问题，提升了晶片封装体的可靠度。

公开(公告)号：CN105118819A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510390579.1

申请日：2010-08-13

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 蔡佳伦 ,  郑家明 ,  尤龙生

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，其可在实施封装层的切割制程前，先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上，避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。本发明还可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合，来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻，以形成开口，便于后续半导体结构的制作，同时提高晶片封装体的良率。

公开(公告)号：CN103187379B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201210589731.5

申请日：2012-12-28

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  关欣 ,  尤龙生 ,  刘沧宇 ,  郑家明

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/82 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/14 ,  H01L23/147 ,  H01L24/08 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/80 ,  H01L21/78

Abstract: 一种半导体堆栈结构及其制法，该半导体堆栈结构的制法通过将一规格的晶圆进行切割以形成多个芯片，再将各该芯片重新排设呈现另一规格的晶圆样式，以通过坝块堆栈于所需的基板上，再于芯片上进行线路重布层的制程，最后，进行切割以形成多个该半导体堆栈结构。

公开(公告)号：CN102263192A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110144977.7

申请日：2011-05-31

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 杨铭堃 ,  刘沧宇 ,  尤龙生

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/73 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种发光二极管次基板、发光二极管封装及其制造方法。该发光二极管次基板包含有：一基材、一直通硅晶穿孔以及一封口层。基材，具有一管芯面及一背面；直通硅晶穿孔贯穿基材，并连通管芯面及背面，其中直通硅晶穿孔包含一由背面向管芯面渐缩的锥状孔部位以及一衔接锥状孔部位的垂直孔部位；以及封口层封闭垂直孔部位。此外，也提供一种发光二极管封装及其制造方法。

公开(公告)号：CN102891133B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201110209132.1

申请日：2011-07-22

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  陈键辉 ,  刘沧宇 ,  尤龙生

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底的该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一沟槽，自该基底的该上表面朝该下表面延伸；一孔洞，自该沟槽的一底部朝该基底的该下表面延伸，其中该孔洞的一上侧壁倾斜于该基底的该下表面，且该孔洞的一下侧壁或一底部露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触至少一所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。

公开(公告)号：CN102263192B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110144977.7

申请日：2011-05-31

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 杨铭堃 ,  刘沧宇 ,  尤龙生

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/73 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种发光二极管次基板、发光二极管封装及其制造方法。该发光二极管次基板包含有：一基材、一直通硅晶穿孔以及一封口层。基材，具有一管芯面及一背面；直通硅晶穿孔贯穿基材，并连通管芯面及背面，其中直通硅晶穿孔包含一由背面向管芯面渐缩的锥状孔部位以及一衔接锥状孔部位的垂直孔部位；以及封口层封闭垂直孔部位。此外，也提供一种发光二极管封装及其制造方法。

公开(公告)号：CN102082120B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201010256060.1

申请日：2010-08-13

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 蔡佳伦 ,  郑家明 ,  尤龙生

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，其可在实施封装层的切割制程前，先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上，避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。本发明还可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合，来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻，以形成开口，便于后续半导体结构的制作，同时提高晶片封装体的良率。

公开(公告)号：CN102194777B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110059862.8

申请日：2011-03-11

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  陈键辉 ,  刘沧宇 ,  尤龙生

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/481 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底中或该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一孔洞，自该基底的该上表面朝该下表面延伸并露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连结的导电通路。

公开(公告)号：CN102244054B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201110196836.X

申请日：2011-03-11

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  陈键辉 ,  刘沧宇 ,  尤龙生

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/481 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底中或该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一孔洞，自该基底之该上表面朝该下表面延伸并露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。