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公开(公告)号:CN109937432B
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN201780067555.X
申请日:2017-08-29
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本公开的实施方式的请求处理设备包括选择单元和输出单元。从活动期间通过拍摄获得的拍摄数据的多个实例中,所述选择单元选择与活动之前或活动期间已经接受的请求相匹配的拍摄数据的一个或多个实例。所述输出单元输出用所述选择单元选择的拍摄数据的一个或多个实例。
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公开(公告)号:CN111511567B
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN201980006796.2
申请日:2019-10-08
Applicant: 索尼公司
IPC: B41M5/42 , B41J2/475 , B41M5/28 , B41M5/44 , B41M5/46 , G11B7/0045 , G11B7/245 , G11B7/246 , G11B7/2542 , G11B7/2572
Abstract: 在根据本公开内容的实施方式的绘制方法中,当在记录层上方设置有面内具有凹凸形状的透光构件的热记录介质上进行绘制时,在所述透光构件上设置具有一个表面和另一个表面的光学补偿器,使得所述一个表面与透光构件彼此面对,并且经由光学补偿器向热记录介质照射激光束。光学补偿器的所述一个表面的形状与透光构件的凹凸形状相吻合,所述另一个表面是平坦的且面对所述一个表面。
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公开(公告)号:CN111278657A
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN201980005341.9
申请日:2019-08-09
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本公开实施方式的热敏记录介质包括:记录层,所述记录层包括具有供电子特性的成色化合物、具有受电子特性的显色剂、光热转换剂和聚合物材料;和保护构件,所述保护构件层叠在所述记录层上并且在面内具有凹凸形状。
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公开(公告)号:CN109789714B
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN201780059046.2
申请日:2017-09-13
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本公开的记录设备设置有:写入单元,将根据时间并且被可见地记录在记录介质中的细目表信息从第一细目表信息重写成第二细目表信息;和生成单元,基于时间生成第二细目表信息。
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公开(公告)号:CN109922966B
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN201780069104.X
申请日:2017-09-14
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本公开的绘图装置设置有:照射单元,在第一时段中,将第一光照射到通过使用预定光可视地记录图像的记录对象的第一记录区域,并且在第一时段之后的第二时段中,将作为预定光的第二光照射到第二记录区域,该第二记录区域与第一记录区域相同或包含在第一记录区域中;和控制单元,控制发光单元的操作。
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公开(公告)号:CN109789714A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201780059046.2
申请日:2017-09-13
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本公开的记录设备设置有:写入单元,将根据时间并且被可见地记录在记录介质中的细目表信息从第一细目表信息重写成第二细目表信息;和生成单元,基于时间生成第二细目表信息。
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公开(公告)号:CN103682101A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310359072.0
申请日:2013-08-16
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L51/0014
Abstract: 本技术公开了一种能够以高成品率制造的晶体管、晶体管的制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法。制造晶体管的方法包括:形成栅电极;形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜,所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对;以及使所述有机半导体膜图案化。
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公开(公告)号:CN111278657B
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN201980005341.9
申请日:2019-08-09
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本公开实施方式的热敏记录介质包括:记录层,所述记录层包括具有供电子特性的成色化合物、具有受电子特性的显色剂、光热转换剂和聚合物材料;和保护构件,所述保护构件层叠在所述记录层上并且在面内具有凹凸形状。
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