公开(公告)号：CN101931051A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010205349.0

申请日：2010-06-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 田中正信 ,  石原弘嗣 ,  陈海晶 ,  栗原研一

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括：栅极电极，其布置在衬底上；半导体层，其由有机半导体形成，并构成沟道区域；栅极绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述半导体层之间；以及一对源极/漏极电极，其电连接至所述半导体层。所述半导体层包括突起部分，所述突起部分在所述半导体层的与所述衬底面对的表面上的、除所述半导体层的端部附近区域之外的内侧区域朝向所述衬底突起。

公开(公告)号：CN101840885A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010134966.6

申请日：2010-03-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 田中正信

IPC: H01L21/82 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2227/326

Abstract: 本发明提供了一种电子器件的制造方法以及显示器，该制造方法包括以下步骤：在第一基板的一部分上形成由碱金属氧化物和碱土金属氧化物中的至少一种制成的牺牲层；形成覆盖牺牲层的支撑层；在牺牲层上形成电子器件，其中，支撑层设置在牺牲层和电子器件之间；通过除去支撑层的一部分暴露出牺牲层的侧面的至少一部分；在电子器件和支撑层与第一基板的表面之间形成支撑体；除去牺牲层；通过使电子器件与由第二基板的表面所提供的粘附层紧密接触，打破支撑体并将电子器件转印到第二基板上；除去属于电子器件的支撑体的碎片；至少除去在粘附层中没有被电子器件覆盖的暴露区域；以及在电子器件表面和第二基板表面形成固定层。

公开(公告)号：CN101819359A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010126151.3

申请日：2010-02-25

Applicant: 索尼公司

Inventor： 石原弘嗣 ,  田中正信 ,  岛村敏规 ,  龟井隆广

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/133553 ,  G02F1/133504

Abstract: 本发明提供形成反射电极的方法、驱动基板和显示装置。形成反射电极的方法包括如下步骤：在基板的电极形成区域的第一区域中形成第一催化层；通过进行第一无电镀敷处理，在第一催化层上形成第一镀敷层；至少在电极形成区域的第一区域之外的区域(第二区域)中形成第二催化层；以及通过进行第二无电镀敷处理，在第二催化层上形成第二镀敷层，从而反射电极形成为具有凹凸表面。