公开(公告)号：CN101528603B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200780040531.1

申请日：2007-10-15

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 矢野聪宏 ,  泽田拓也

IPC: C01B37/02 ,  C01B33/18

Abstract: 本发明涉及(1)中空二氧化硅颗粒，其外壳部具有平均微孔径1～10nm的中微孔结构，该中空二氧化硅颗粒的平均粒径为0.05～10μm，所有颗粒中的80％以上具有平均粒径±30％以内的粒径；(2)复合二氧化硅颗粒，其为外壳部具有平均微孔径1～10nm的中微孔结构、BET比表面积为100m2/g以上的二氧化硅颗粒，该二氧化硅颗粒的内部包含疏水性有机化合物或高分子有机化合物；以及中空二氧化硅颗粒的制造方法。

公开(公告)号：CN101657383A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880012081.X

申请日：2008-04-02

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 矢野聪宏

IPC: C01B37/02 ,  C01B33/12

CPC classification number: C01B37/02 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249969

Abstract: 本发明涉及一种介孔二氧化硅薄膜、将该介孔二氧化硅薄膜形成于基板上而成的结构体、以及介孔二氧化硅薄膜结构体的制造方法。其中，介孔二氧化硅薄膜是具有平均微孔周期为1.5～6nm的介孔结构的二氧化硅薄膜，该介孔在相对于膜表面呈75～90°的方向上取向；介孔二氧化硅薄膜结构体的制造方法为：调制含有特定含量的特定阳离子表面活性剂的水溶液，将基板浸在该水溶液中，添加特定含量的通过水解而生成硅烷醇的二氧化硅源，在10～100℃温度下搅拌，在基板表面形成介孔二氧化硅薄膜之后，除去阳离子表面活性剂。

公开(公告)号：CN101528603A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780040531.1

申请日：2007-10-15

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 矢野聪宏 ,  泽田拓也

IPC: C01B37/02 ,  C01B33/18

Abstract: 本发明涉及(1)中空二氧化硅颗粒，其外壳部具有平均微孔径1～10nm的中微孔结构，该中空二氧化硅颗粒的平均粒径为0.05～10μm，所有颗粒中的80％以上具有平均粒径±30％以内的粒径；(2)复合二氧化硅颗粒，其为外壳部具有平均微孔径1～10nm的中微孔结构、BET比表面积为100m2/g以上的二氧化硅颗粒，该二氧化硅颗粒的内部包含疏水性有机化合物或高分子有机化合物；以及中空二氧化硅颗粒的制造方法。