一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法

    公开(公告)号:CN109860010B

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN201910081017.7

    申请日:2019-01-28

    Abstract: 本发明为一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法,即在圆柱漂移管z0≤z≤z1范围内,施加沿‑r方向的径向电场,在均匀磁场的约束下,电子进行拉莫尔回旋运动,经过施加局部电场的区域时,径向电场对电子做功以改变电子束径向振荡,当电子进入局部电场区域时处于径向振荡的峰值附近,且离开局部电场区域时处于径向振荡的谷值附近时,沿‑r方向的径向电场会对电子做负功,从而减小电子束的横向动量,最终达到抑制电子束径向振荡的目的。

    一种桥式放电电路、重复脉冲磁场产生装置及方法

    公开(公告)号:CN119341524A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411359416.2

    申请日:2024-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种桥式放电电路、重复脉冲磁场产生装置及方法,属于电力电子技术领域,其中,放电桥臂上的复合开关模块包括第一和第二开关单元;第一开关单元包括一个或多个串联的晶闸管、及并联在每一个晶闸管两端的第一电阻;第二开关单元包括:全控型开关器件组、及并联在全控型开关器件组两端的第二电阻;全控型开关器件组包括:一个或多个并联的全控型开关器件;由于晶闸管的耐压与通流能力较全控型开关器件更强,相比于传统放电桥臂中需要采用大量全控型开关器件串并联才能实现耐高压和大电流要求,本发明采用较少的全控型开关器件即可实现相同的耐高压和大电流要求,结构简单,降低了控制难度,提高了可靠性,同时也降低了经济成本。

    一种减小电子束径向振荡相位差的方法

    公开(公告)号:CN109872933B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201910080324.3

    申请日:2019-01-28

    Abstract: 本发明属于高功率微波技术领域,公开了一种减小电子束径向振荡相位差的方法,该方法立足于提高冷阴极爆炸发射电子初始相位的一致性,部分解决低引导磁场条件下爆炸发射电子速度离散引起的径向振荡问题。所述减小电子束径向振荡相位差的方法可以通过在冷阴极爆炸发射表面附近区域加载非均匀磁场加以实现。非均匀磁场的加载可以调整冷阴极表面附近的引导磁场位形,提高发射电子出射方向和运动路径的一致性,进而抑制电子之间由于速度离散引起的径向剧烈振荡。将该技术应用于低引导磁场高功率微波产生器件研制中,能够改进爆炸发射电子束的束流品质,提高高功率微波产生器的工作效率和可靠性。

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