公开(公告)号：CN104103699A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410130976.0

申请日：2014-04-02

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 张在元 ,  沈敬珍 ,  朴铉定 ,  崔正薰

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；整个形成在所述半导体基板的表面上的第一隧穿层；设置在所述半导体基板的所述表面上的第一导电类型区域；以及包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极的电极。

公开(公告)号：CN119605336A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202280098478.5

申请日：2022-07-26

Applicant: LG电子株式会社 ,  乐金显示有限公司

Inventor： 张在元 ,  崔元硕

IPC: H10H29/30 ,  H01L25/075 ,  H10D86/60 ,  H10H20/819 ,  H10H29/49 ,  H10H20/831

Abstract: 显示装置包括：基板；第一组装配线，配置在基板上；第二组装配线，配置在基板上；分隔壁，配置在第一组装配线和第二组装配线上并包括组装孔；半导体发光器件，配置在组装孔；连接电极，配置在半导体发光器件的侧部；以及电极配线，配置在半导体发光器件的上侧。第一组装配线和第二组装配线各自均包括：第一导电电极，与组装孔垂直重叠；以及第二导电电极，与第一导电电极连接，并且与半导体发光器件垂直重叠。

公开(公告)号：CN119452761A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202280097548.5

申请日：2022-06-27

Applicant: LG电子株式会社 ,  乐金显示有限公司

Inventor： 张在元 ,  金度汉 ,  朴成敏

IPC: H10H29/30 ,  H10H29/49 ,  H10H29/39

Abstract: 显示装置包括：基板，包括子像素；第一组装配线，在基板上沿一方向配置；第二组装配线，与第一组装配线并排配置；分隔壁，配置于第一组装配线和第二组装配线上，且在子像素中包括第一孔；以及半导体发光器件，位于第一孔。第二组装配线可以包围第一组装配线的一部分区域。第一组装配线的一部分区域和第二组装配线在第一孔的边缘区域具有规定间隙。

公开(公告)号：CN114744057A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210385132.5

申请日：2017-09-05

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 尹必源 ,  张在元 ,  金珍圣

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/05

Abstract: 太阳能电池板。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板，其具有交叉的长轴和短轴；第一导电类型区域，其形成在所述半导体基板的一个表面上；第二导电类型区域，其形成在所述半导体基板的另一表面上；第一电极，其电连接到所述第一导电类型区域；以及第二电极，其电连接到所述第二导电类型区域。所述第一电极包括：多条指线，其在与所述长轴平行的第一方向上设置并且彼此平行；以及多个汇流条，其包括多个焊盘部并且在与所述短轴平行的第二方向上设置。所述多个焊盘部包括在所述第二方向上分别设置在所述多个汇流条的相对端上的第一外焊盘和第二外焊盘。

公开(公告)号：CN111416004A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010016712.8

申请日：2020-01-08

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 张在元 ,  朴铉定

IPC: H01L31/0224

Abstract: 太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池板。讨论了一种太阳能电池，包括：半导体基板，其具有倾斜部；第一导电类型区域和第二导电类型区域，其在半导体基板的一个表面处或半导体基板的一个表面上形成；第一电极，其连接到至半导体基板的一个表面上的第一导电类型区域；以及第二电极，其连接至半导体基板的一个表面上的第二导电类型区域。第一电极和第二电极中的至少一个包括指状部，该指状部包括在第一方向上延伸的多个内指状部和邻近半导体基板的边缘在第一方向上延伸的多个外指状部；以及连接部，其连接在半导体基板的邻近倾斜部的一侧上的多个外指状部中的至少一些。

公开(公告)号：CN111276551A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201911227340.7

申请日：2019-12-04

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 张在元 ,  朴铉定 ,  郑寅道 ,  高智洙

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池板。提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括半导体基板、位于所述半导体基板中或所述半导体基板的导电区域以及电连接至所述导电区域的电极。所述电极包括第一电极部以及位于所述第一电极部上方的第二电极部。所述第二电极部包括：颗粒连接层，所述颗粒连接层通过连接包括第一金属的多个颗粒而形成；以及覆盖层，所述覆盖层包括与所述第一金属不同的第二金属并且至少覆盖所述颗粒连接层的外表面。

公开(公告)号：CN109599450A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811406592.1

申请日：2014-04-02

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 张在元 ,  沈敬珍 ,  朴铉定 ,  崔正薰

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224

Abstract: 公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；整个形成在所述半导体基板的表面上的第一隧穿层；设置在所述半导体基板的所述表面上的第一导电类型区域；以及包括连接到所述第一导电类型区域的第一电极的电极。

公开(公告)号：CN103762270B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310750739.X

申请日：2010-03-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 崔荣嫮 ,  张在元 ,  金亨锡

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0256

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。该方法包括：在第一导电类型的基板的背面上形成第一杂质层和第二杂质层，第一杂质层包含与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质，第二杂质层包含第一导电类型的杂质；通过加热基板，在基板的形成有第一杂质层的部分中第一射极部分，在基板的形成有第二杂质层的部分中形成第一背面场部分；通过在第一杂质层的一部分上照射激光束，形成第二射极部分，第二射极部分的杂质浓度高于第一射极部分的杂质浓度，并且，通过在第二杂质层的一部分上照射激光束，形成第二背面场部分，第二背面场部分的杂质浓度高于第一背面场部分的杂质浓度；以及形成连接到第二射极部分的第一电极以及连接到第二背面场部分的第二电极。

公开(公告)号：CN103762270A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201310750739.X

申请日：2010-03-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 崔荣嫮 ,  张在元 ,  金亨锡

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0256

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。该方法包括：在第一导电类型的基板的背面上形成第一杂质层和第二杂质层，第一杂质层包含与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质，第二杂质层包含第一导电类型的杂质；通过加热基板，在基板的形成有第一杂质层的部分中第一射极部分，在基板的形成有第二杂质层的部分中形成第一背面场部分；通过在第一杂质层的一部分上照射激光束，形成第二射极部分，第二射极部分的杂质浓度高于第一射极部分的杂质浓度，并且，通过在第二杂质层的一部分上照射激光束，形成第二背面场部分，第二背面场部分的杂质浓度高于第一背面场部分的杂质浓度；以及形成连接到第二射极部分的第一电极以及连接到第二背面场部分的第二电极。