公开(公告)号：CN102983209B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210151051.5

申请日：2012-05-15

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 秦胤实 ,  朴铉定 ,  崔荣浩 ,  朴昶绪

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，形成为具有：第一导电类型的硅半导体基板；发射极层，所述发射极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的第一表面上；背表面场层，所述背表面场层具有所述第一导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上；并且其中，所述发射极层至少包括第一浅掺杂区域，所述背表面场层至少包括第二浅掺杂区域，并且其中，所述发射极层的第一浅掺杂区域的厚度不同于所述背表面场层的第二浅掺杂区域的厚度。

公开(公告)号：CN103515456A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310240802.5

申请日：2013-06-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 南熺真 ,  秦胤实 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了太阳能电池，该太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的杂质；射极区，其位于所述基板的第一表面处并且包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质以与基板一起形成p-n结；防反射层，其位于所述射极区上；第一电极，其位于所述防反射层上，并耦接到所述射极区；和第二电极，其位于所述基板的第二表面上并耦接到所述基板。所述防反射层的位于所述第一电极之下的第一区域具有多个开口。所述第一电极耦接到通过所述防反射层的所述多个开口露出的所述射极区。

公开(公告)号：CN103378185A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310117655.2

申请日：2013-04-07

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 秦胤实 ,  南熺真 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：半导体基板；发射极层，其形成在所述半导体基板处，其中，所述发射极层包括具有第一电阻的第一部分以及具有比第一电阻更高的第二电阻的第二部分，其中，第一部分包括具有相同导电类型的第一掺杂剂和第二掺杂剂，并且第二部分包括第二掺杂剂；钝化层，其形成在所述发射极层上，其中，所述钝化层包括第一掺杂剂；以及电极，其经过所述钝化层电连接到第一部分。

公开(公告)号：CN103296093A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210519515.3

申请日：2012-12-06

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李永贤 ,  南熺真 ,  秦胤实

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0201 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/048 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区，其被设置在所述基板处；减反射层，其包括暴露所述发射极区的第一开口以及暴露所述发射极区并且彼此分离的多个第二开口；第一电极，其被设置在通过所述第一开口暴露的所述发射极区的第一部分上，并连接至所述第一部分；第一总线条，其被设置在通过所述多个第二开口暴露的所述发射极区的第二部分上，并连接至所述第二部分和所述第一电极；以及第二电极，其被设置在所述基板上，并连接至所述基板。

公开(公告)号：CN102983209A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210151051.5

申请日：2012-05-15

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 秦胤实 ,  朴铉定 ,  崔荣浩 ,  朴昶绪

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，形成为具有：第一导电类型的硅半导体基板；发射极层，所述发射极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的第一表面上；背表面场层，所述背表面场层具有所述第一导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上；并且其中，所述发射极层至少包括第一浅掺杂区域，所述背表面场层至少包括第二浅掺杂区域，并且其中，所述发射极层的第一浅掺杂区域的厚度不同于所述背表面场层的第二浅掺杂区域的厚度。

公开(公告)号：CN102934236A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201080067145.3

申请日：2010-10-28

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈玖奂 ,  朴昶绪 ,  尹必源 ,  秦胤实 ,  金珍圣 ,  崔荣嫮 ,  张在元

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0684 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：基板；发射层，所述发射层设置在所述基板的所述第一表面处；第一抗反射层，所述第一抗反射层设置在所述发射层的表面上，所述第一抗反射层可以包括露出所述发射层的一部分的多条第一接触线；第一电极，所述第一电极电连接至通过所述多条第一接触线露出的所述发射层，并且所述第一电极可以包括与所述发射层直接接触的电镀层；以及第二电极，所述第二电极设置在所述基板的第二表面上。