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公开(公告)号：CN113748526A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201980095846.9
申请日：2019-12-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/10 , H01F10/26 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 本发明的磁阻效应元件(10)包括第一铁磁性层(1)、第二铁磁性层(2)、位于上述第一铁磁性层与上述第二铁磁性层之间的非磁性层(3)和位于层叠方向上的任一侧的含添加物层(4、5)，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一者含有硼和碳中的至少一者，且至少一部分是结晶了的惠斯勒合金，上述含添加物层是非磁性层，包含：硼和碳中的至少一者；以及选自Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au中的任意元素。
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公开(公告)号：CN112349833A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010784298.5
申请日：2020-08-06
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够减少磁化的旋转所需要的能量的磁阻效应元件以及惠斯勒合金。该磁阻效应元件具备：第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金，Z是选自Mn、Cr、Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素，α和β满足2.3≤α+β、α
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公开(公告)号：CN109216539A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810686463.6
申请日：2018-06-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种改善了磁阻效应的磁阻效应元件。所述磁阻效应元件其特征在于，磁阻效应元件(MR)具备作为磁化固定层的第一铁磁性层(4)、作为磁化自由层的第二铁磁性层(6)、以及设置于第一铁磁性层(4)和第二铁磁性层(6)之间的非磁性间隔层(5)，所述非磁性间隔层(5)具有设置于非磁性间隔层(5)的下表面的第一插入层(5A)和设置于非磁性间隔层(5)的上表面的第二插入层(5C)中的至少一个，第一插入层(5A)和第二插入层(5C)是Fe2TiSi。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113036032B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202011519004.2
申请日：2020-12-21
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，包括：第一强磁性层、第二强磁性层和位于所述第一强磁性层和所述第二强磁性层之间的非磁性层，所述第一强磁性层和所述第二强磁性层中的至少一者从靠近所述非磁性层的一侧依次具有第一层和第二层，所述第一层包含结晶化了的Co基哈斯勒合金，所述第二层至少一部分结晶化，并含有强磁性元素、硼元素和添加元素，该添加元素是选自由Ti、V、Cr、Cu、Zn、Zr、Mo、Ru、Pd、Ta、W、Ir、Pt、Au构成的组中的任何元素。
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公开(公告)号：CN112349832B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202010777761.3
申请日：2020-08-05
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够进一步增大MR比(磁阻变化率)和RA(面电阻)的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备：第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个由下述通式(1)所表示的惠斯勒合金构成。Co2FeαXβ……(1)式(1)中，X表示选自Mn、Cr、Si、Al、Ga和Ge中的一种以上的元素，α和β表示满足2.3≤α+β、α
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公开(公告)号：CN112349831A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010777715.3
申请日：2020-08-05
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种难以通过退火改变状态的磁阻效应元件以及惠斯勒合金。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co2FeαZβ表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金，Z是选自Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素，α和β满足2.3≤α+β、α
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公开(公告)号：CN110224060A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201811558321.8
申请日：2018-12-19
Applicant: TDK株式会社 , 国立大学法人北海道大学
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应大的磁阻效应元件，其使用含有Mn的赫斯勒合金作为磁阻层的铁磁性层。本发明所涉及的磁阻效应元件具备：作为磁化自由层发挥功能的第一铁磁性层、作为磁化固定层发挥功能的第二铁磁性层和设置在第一铁磁性层和第二铁磁性层之间的非磁性间隔层，其中第一铁磁性层和第二铁磁性层中的至少一个包含式(1)所表示的赫斯勒合金。X2MnαZβ……(1)式中，X表示选自Co、Ni、Fe、Ru以及Rh中的至少一种元素，Z表示选自Si、Al、Ga、Ge、Sb以及Sn中的至少一种元素，并且2/3
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