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公开(公告)号：CN101505879A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200680027141.6
申请日：2006-05-30
Applicant: 阿拉巴马大学
CPC classification number: H01F1/0063 , G11B5/7013 , G11B5/845 , H01F10/007
Abstract: 本发明提供了一种制备纳米材料的方法，该方法包括将(a)一种或多种树脂基材和(b)一种或多种磁性纳米粒子物质的结合物溶解和/或悬浮在由一种或多种离子液体构成的介质中以提供一种混合物，并通过将该混合物与一种非溶剂(为离子液体而非其它组分的溶剂)混合而回收固体纳米材料，同时在回收步骤中将一个电磁场施加于所述混合物以使磁性纳米粒子物质排列成行，并提供得到的纳米材料用于提供独特的信息存储介质的用途，所述信息存储介质特别是以薄片或薄膜的形式提供。
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公开(公告)号：CN1930643A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007538.4
申请日：2005-03-08
CPC classification number: H05K9/0083 , B82Y25/00 , H01F1/28 , H01F10/007 , H05K1/0233
Abstract: 电磁噪声抑制薄膜具有如下的结构，即由Fe、Co、或Ni各自的纯金属或至少含有20重量％的所述纯金属的合金组成的柱状结构体埋入作为氧化物、氮化物或氟化物或它们的混合物的无机物质的绝缘性母体中。
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公开(公告)号：CN1218331C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN01813148.4
申请日：2001-07-30
Applicant: 株式会社新王磁材
CPC classification number: H01F10/3222 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/00 , C23C14/16 , H01F10/007 , H01F10/126 , H01F10/28 , H01F10/3227 , H01F41/302 , Y10T428/1129 , Y10T428/115 , Y10T428/12861 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12931 , Y10T428/12937 , Y10T428/24975 , Y10T428/32 , Y10T428/325
Abstract: 本发明之目的在于，提供一种可以使利用气相生长形成的薄膜在层叠方向上各向异性化的薄膜稀土族永久磁铁及其制造方法，通过在具有平面平滑性的非磁性材料的基片1上层叠稀土族元素的单原子层10后，多次重复原子层叠体单元13的形成操作，层叠多个构成特性的原子层叠体单元13，其中，该单元13是通过层叠设置层叠了多层过渡金属元素的单原子层11的过渡金属元素的原子层叠体12形成的，从而使各原子层叠体12在单原子层11的层叠方向上具有易磁化轴，并且抑制被稀土族元素的单原子层10，10夹着的抗磁区的产生，使产生强矫顽力，而且通过提高过渡金属元素对稀土族元素的含有比率，使残余磁通密度有了飞越性提高。
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公开(公告)号：CN1610021A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410058812.8
申请日：2004-07-30
Applicant: 同和矿业株式会社
Inventor： 佐藤王高
CPC classification number: B22F1/0022 , B22F9/24 , B22F2998/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , C22C1/0491 , H01F1/0054 , H01F1/065 , H01F1/068 , H01F10/007 , Y10T428/12014 , Y10T428/12181 , Y10T428/12993
Abstract: 本发明涉及获得FePt纳米粒子的粒子彼此不接合并有设定间隔而均匀分散状态的粒子聚集体。该金属磁性粒子的聚集体是由主成分及其组成用下述式表示、余部由不可避免的杂质组成的金属磁性料子构成，[TxM1－x]YZ1－Y[式中，T表示Fe或Co的1种或2种，M表示Pt或Pd的1种或2种，Z表示选自Ag、Cu、Bi、Sb、Pb与Sn组成的组中的至少1种，X表示0.3～0.7，Y表示0.7～1.0]，面心正方晶的比例在10～100％的范围，粒径的平均值是30nm以下，且各粒子处于彼此有间隔而分散的状态。
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公开(公告)号：CN106024267A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610523055.X
申请日：2016-07-05
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: H01F10/14 , C23C18/1657 , C23C18/34 , H01F10/007 , H01F41/301
Abstract: 本发明提供了一种超薄磁性带刺镍箔的制备方法，包含以下步骤：步骤S1：制备含Ni2+前驱体液，具体为将氢氧化钠乙二醇的水溶液与Ni2+乙二醇的水溶液混合，搅拌后得到淡绿色的溶液；滴加水合肼并不断搅拌，得到蓝色的溶液；步骤S2：将含Ni2+前驱体液装入反应器中，于50℃～90℃下反应0.5～2.0h；步骤S3：取出生长于反应器壁上的镍箔，分离后洗涤数次后，进行干燥处理。本发明制备过程简单、无毒无污染、且成本较低，能满足大规模生产的需求。本发明生产得到的超薄磁性带刺镍箔为无支撑的，其厚度可薄到0.5～3.0μm，尺寸可达到几百平方厘米，且具有较好的机械性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1930643B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580007538.4
申请日：2005-03-08
CPC classification number: H05K9/0083 , B82Y25/00 , H01F1/28 , H01F10/007 , H05K1/0233
Abstract: 电磁噪声抑制薄膜具有如下的结构，即由Fe、Co、或Ni各自的纯金属或至少含有20重量％的所述纯金属的合金组成的柱状结构体埋入作为氧化物、氮化物或氟化物或它们的混合物的无机物质的绝缘性母体中。
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公开(公告)号：CN1829579A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021945.6
申请日：2004-07-30
Applicant: 同和矿业株式会社
Inventor： 佐藤王高
CPC classification number: B22F1/0022 , B22F9/24 , B22F2998/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , C22C1/0491 , H01F1/0054 , H01F1/065 , H01F1/068 , H01F10/007 , Y10T428/12014 , Y10T428/12181 , Y10T428/12993
Abstract: 本发明涉及适合于磁记录的磁性合金粒子的集合体，在以T为Fe和Co的一种或两种，以M为Pt和Pd的一种或两种时，该集合体以式[TxM1－x]中X在0.3－0.7范围的组成比含有T和M，T和M以外的金属元素相对于(T+M)的原子百分比在30at.％或更低(包括0at.％)，残余部分为制造上不可避免的杂质，其特征在于，面心正方晶的比例为10－100％，利用TEM观察测定的平均粒径(DTEM)在5－30nm的范围，由X射线衍射导出的X射线结晶粒径(Dx)在4nm或更大，各粒子在相互空有间隔分散的状态下具有流动性，且各粒子的组成偏差在规定的范围内。
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公开(公告)号：CN1674104A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059472.5
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/656 , G11B5/667 , G11B5/7325 , H01F10/007 , Y10T428/25
Abstract: 获得适于达到低噪声高磁记录密度的垂直磁记录介质。该介质具有小平均磁颗粒直径，小磁颗粒直径分布，高垂直结晶磁颗粒取向和高规则性磁颗粒排列。垂直磁记录介质包括衬底上的软磁层，颗粒底层和垂直磁记录层。在金属底层上形成颗粒底层。颗粒层中的金属颗粒被非磁性颗粒间材料分隔，并且部分穿入到金属底层中。在颗粒层上形成垂直磁记录层。于是垂直磁记录介质表现出高信噪比和极好的高密度记录特性。
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公开(公告)号：CN1096690C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN95109128.X
申请日：1995-07-01
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/3903 , H01F10/007 , H01L43/10 , Y10S428/928 , Y10T428/1107 , Y10T428/12014 , Y10T428/12028 , Y10T428/12063 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明涉及磁致电阻材料及其膜。该材料是非磁性基质和分散在非磁性基质内的铁磁性材料如Co或Ni-Fe-Co的超细粒子组成的非均匀体系。为了减轻磁致电阻效应的退化，使用含有Pt和至少一种选自Cu、Ag、和Au中的金属元素的合金或混合物作为非磁性基质的材料。非磁性基质可任选地含有限量的选自Al、Cr、In、Mn、Mo、Nb、Pd、Ta、Ti、W、V、Zr和Ir的辅助元素。磁致电阻材料膜可在基体上成膜，并可任选地在膜和基体间插入缓冲膜和/或用保护层覆盖该膜。
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公开(公告)号：CN1383166A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02102814.1
申请日：2002-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/86 , C01P2006/33 , C01P2006/42 , C09C3/12 , G11B5/712 , G11B5/74 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/84 , G11B2005/0002 , G11C11/14 , G11C11/16 , G11C11/5671 , G11C2216/08 , H01F1/0306 , H01F1/047 , H01F10/007 , H01F10/123 , H01F41/305 , H01L29/42324 , Y10T428/1114 , Y10T428/1193 , Y10T428/24388 , Y10T428/24893 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995 , Y10T428/2998 , Y10T428/31667
Abstract: 作为把微粒(30)固定到衬底(32)上边的排列体,在上述微粒(30)的表面上,形成与上述微粒的表面进行键合的有机涂敷膜(31),在上述衬底(32)表面上形成与上述衬底表面进行键合的有机涂敷膜(33),在上述微粒表面的有机涂敷膜(31)与上述衬底表面的有机涂敷膜(33)之间形成键(34),使上述微粒固定排列在上述衬底上。由此,可以把纳米规模的微粒(30)排列到规定的位置上。此外,在应用于磁性粒子的情况下,可以得到使高记录密度成为可能的磁记录媒体,可以实现高密度磁记录再生装置。
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