公开(公告)号：CN1220217C

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN01123605.1

申请日：2001-07-25

Applicant: 日本板硝子株式会社

Inventor： 清田正悟 ,  加藤之启

IPC: H01B5/14 ,  C03C17/245

CPC classification number: G06F3/045 ,  C23C14/086 ,  H01B1/08 ,  H01H13/785 ,  H01H2201/028 ,  H01H2209/084

Abstract: 使用氧化铟/氧化锡靶在含有氩气和氧气的混合气气氛下在透明绝缘基板上实施溅射而制备具有透明导电膜的基板的方法中，其中，在混合气中氧气对氩气的比率是在0.016-0.018的合适范围之内，透明导电膜的载流子密度变得最大，同时随着氧气对氩气的比率增长迁移度逐渐升高。透明薄膜的表面电阻，其是载流子密度和迁移度之积的倒数，1/(载流子密度×迁移度)，当氧气比率是在上述的合适范围之内时，它达到最小值。这样，薄膜的结晶被促进且薄膜在热处理之前和热处理之后的表面电阻的百分比变化可保持在±10%之内。