公开(公告)号：CN103051328B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210384218.2

申请日：2012-10-11

Applicant: 古野电气株式会社

Inventor： 小林友直

IPC: H03K19/0956 ,  G01S7/282

CPC classification number: G01S7/282 ,  G01S7/03 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/56 ,  H03F3/193 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/21 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/555 ,  H03F2203/7203 ,  H03K17/04163 ,  H03K17/063

Abstract: 本发明的目的在于提供一种射频脉冲信号产生用切换电路、射频脉冲信号产生电路，其能够稳定工作并且快速地下降射频脉冲信号的波形。漏极切换电路（21）具有n型的第一、第二、第三的FET（211）、（212）、（213）。控制脉冲施加至第一、第三的FET的栅极，源极接地。第一FET的漏极连接于第二FET的栅极，驱动电压（Vds）施加于第二FET的漏极。连接第二FET的源极与第三FET的漏极，连接点连接于功率FET（31）的漏极。在第二FET的栅源极间，连接有供应用于补偿第二FET从关断状态向导通状态跃迁时的栅极电压的电荷的电容（215）。

公开(公告)号：CN104124950B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201410172327.7

申请日：2014-04-25

Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 ,  快捷半导体公司

Inventor： T·戴格尔 ,  J·L·斯图兹

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K17/063 ,  H02J7/0029 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0054

Abstract: 本发明涉及反向电流阻断比较器，一种设备包括至少一个晶体管，其被配置为模拟开关；阱偏压电路，其被配置成为所述至少一个晶体管的本体区提供动态电偏压；以及比较器电路，其与所述阱偏压电路和所述晶体管电连通。所述比较器电路被配置成检测所述晶体管的第一工作条件和所述晶体管的第二工作条件。所述阱偏压电路被配置成当检测到所述第一工作条件时将第一电偏压施加至晶体管的所述本体区，以及当检测到所述第二工作条件时将第二电偏压施加至所述晶体管的所述本体区，并且其中所述比较器被配置成将迟滞施加于所述第一和第二工作条件的检测。

公开(公告)号：CN106464247A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580028111.6

申请日：2015-02-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木原诚一郎

IPC: H03K17/16 ,  H02M1/08 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K17/08128 ,  G06F13/385 ,  G06F13/4072 ,  G06F13/4081 ,  H03K3/014 ,  H03K17/0406 ,  H03K17/063 ,  H03K17/08122 ,  H03K17/162 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明的驱动电路包括通常型晶体管(Q1、Q2)、控制晶体管(Q1、Q2)的控制电路(1、2)、连接于控制电路(1)的电源节点(1c、1d)间的电容器的电源(7)、连接于电源节点(1d、2d)间的MOSFET(16)、在输出电压VO为约0V时使MOSFET(16)导通的控制电路(3)和起动电路，该起动电路包含与电容器(4)并联连接的齐纳二极管(20)，即使MOSFET(16)截止也能够通过齐纳电压对电容器(4)充电。(4)、连接于控制电路(2)的电源节点(2c、2d)间

公开(公告)号：CN106385176A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610907264.4

申请日：2016-10-19

Applicant: 杰华特微电子(杭州)有限公司

Inventor： 陈小鹏 ,  黄必亮 ,  任远程 ,  周逊伟

IPC: H02M3/158 ,  H02M1/44

CPC classification number: H02M3/1582 ,  H02J3/38 ,  H02J3/44 ,  H02M3/1563 ,  H02M3/335 ,  H02M7/48 ,  H03K17/063 ,  H03K17/56 ,  H02M3/158 ,  H02M1/44

Abstract: 本申请公开了开关电源及其控制电路和控制方法。所述控制电路包括：调节模块，用于将开关信号的周期与参考周期进行比较以产生第一控制电压；电流源模块，用于根据所述第一控制电压产生第一充电电流；脉冲信号产生模块，用于将所述第一充电电流转换为开关导通或关断时间信号；驱动模块，用于根据所述开关导通或关断时间信号产生所述开关信号，以控制开关管的导通与关断；以及时间测量模块，用于根据所述开关信号得到时间参数并且根据所述时间参数产生周期调节信号，其中，所述调节模块根据所述周期调节信号调节所述参考周期，从而调节所述开关信号的周期。该控制电路利用参考周期的动态控制补偿关断时间的变化，从而实现宽输入和输出电压范围。

公开(公告)号：CN103683866B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310617008.8

申请日：2013-11-26

Applicant: 崇贸科技股份有限公司 ,  快捷半导体(苏州)有限公司

Inventor： 杨大勇 ,  林金延 ,  陈荣升 ,  林立

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H02M3/33523 ,  H03K17/063

Abstract: 本发明公开了一种功率转换器的具有充电泵浦电路的晶体管闸极驱动器，其中功率转换器的控制器包含一晶体管闸极驱动器。晶体管闸极驱动器产生一闸极驱动讯号，用以驱动功率晶体管，以使功率转换器的变压器切换，进而调整功率转换器的输出。晶体管闸极驱动器具有一充电泵浦电路，其用于提升闸极驱动讯号的电压准位。如此，闸极驱动讯号可以使功率晶体管完全导通。

公开(公告)号：CN106027027A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610176477.4

申请日：2016-03-24

Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 ,  快捷半导体公司

Inventor： 科奈斯·P·斯诺登 ,  J·L·斯图兹

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H02M3/07 ,  H03K17/063 ,  H03K17/145 ,  H03K17/6871 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0054 ,  H03K2217/0081 ,  H03K19/018507

Abstract: 本发明公开了包括例如低电压控制电路的系统和方法，该低电压控制电路被配置为接收电荷泵电压、轨电压和开关控制信号，该低电压控制电路被配置为在开关控制信号处于第一状态时提供电荷泵电压，并在开关控制信号处于第二状态时提供电荷泵电压和轨电压中较高者。该系统可包括第一接高电路，该第一接高电路配置为接收轨电压和电荷泵电压，并在输出端提供轨电压和电荷泵电压中较高者。在第一状态下，开关控制信号能够包括接高电路的输出。本发明公开了形成这种装置的方法，以及操作方法和其它实施例。

公开(公告)号：CN105915236A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610100901.7

申请日：2016-02-24

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： B·P·沃克

IPC: H04B1/00 ,  H03K17/687

CPC classification number: H04W72/0406 ,  H03H7/25 ,  H03K17/063 ,  H03K17/145 ,  H03K17/693 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0018 ,  H04B1/006 ,  H03K17/687

Abstract: 本文提供的是射频切换的设备和方法。在某些配置中，RF切换电路包括：串联电连接在输入端和输出端之间的两个或多个FET，两个或多个FET经由一个或多个中间节点串联连接。RF切换电路接收可用于控制两个或多个FET的栅极的DC偏置电压的第一开关控制信号，以及可用于控制一个或多个中间节点的DC偏置电压的第二开关控制信号。

公开(公告)号：CN105846801A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201511020634.4

申请日：2015-12-30

Applicant: 株式会社索思未来

Inventor： 冈本诚次

IPC: H03K17/0812 ,  H03M1/12

CPC classification number: G11C27/02 ,  G11C27/024 ,  H03K17/063 ,  H03K17/08122 ,  H03K2217/0054 ,  H03M1/1245

Abstract: 本申请涉及一种开关电路、模数转换器以及集成电路。一种开关电路包括：采样晶体管，该采样晶体管包括连接至输入节点的源极和连接至输出节点的漏极；控制电路，该控制电路连接至采样晶体管的栅极，并且被配置成控制采样晶体管的导通或关断；电压保持电路，该电压保持电路被设置在采样晶体管的栅极与源极之间，并且被配置成当采样晶体管导通时保持采样晶体管的栅极与源极之间的电压恒定；以及保护电路，该保护电路被设置成与控制电路并联，并且被配置成当采样晶体管从导通转换为关断时降低施加至采样晶体管的栅极的电压。

公开(公告)号：CN105790745A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201510518684.9

申请日：2015-08-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 东海阳一

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K17/6871 ,  H03K17/005 ,  H03K17/063 ,  H03K17/165 ,  H03K17/687 ,  H03K17/693 ,  H03K2217/0054

Abstract: 模拟开关具备电流路径的一端连接在输入端子上、上述电流路径的另一端与上述第1MOS晶体管的栅极连接、受上述第2电流控制的第2导电型的第1DMOS晶体管。模拟开关具备电流路径的一端连接在上述第1DMOS晶体管的电流路径的另一端上、上述电流路径的另一端连接在输出端子上、受上述第2电流控制的第2导电型的第2DMOS晶体管。模拟开关具备连接在上述第1DMOS晶体管的栅极与电流路径的另一端之间的第1开关元件。

公开(公告)号：CN103780061B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310369671.0

申请日：2013-08-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H03K17/063 ,  H02M2001/0054 ,  H03K17/567 ,  Y02B70/1483 ,  Y02B70/1491

Abstract: 本申请公开了一种晶体管控制电路和电源装置，该晶体管控制电路包括：晶体管，该晶体管包括具有栅场板的栅极电极、漏极电极和在栅场板和漏极电极之间形成在层间绝缘膜的顶部上的控制电极；比较器电路，将晶体管的漏极电压与基准电压进行比较；以及电极控制电路，其基于来自比较器电路的比较结果来生成要给予控制电极的电压。