公开(公告)号：CN115295527A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210036290.X

申请日：2022-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安濬爀 ,  李基硕 ,  金熙中

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区域和界面区域；栅电极，在单元区域内设置在衬底中，并在第一水平方向上延伸；位线，与栅电极相交，并在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸，该位线包括在第一水平方向上交替设置的第一位线和第二位线；边缘间隔物，设置在界面区域内，并接触第二位线；以及边缘绝缘层，设置在边缘间隔物之间，并接触第一位线。边缘绝缘层中的每一层的至少一部分设置在界面区域内。

公开(公告)号：CN110504262A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910026981.X

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张世明 ,  安濬爀 ,  金奉秀 ,  朴晓斌 ,  沈明燮

IPC: H01L27/088

Abstract: 提供了包括器件隔离层的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和核心/外围区域；第一有源区，位于基底的单元区域中；第一器件隔离层，限定第一有源区；第二有源区，位于基底的核心/外围区域中；以及第二器件隔离层，限定第二有源区。在与基底的下表面垂直的第一方向上从基底的下表面到第一器件隔离层的上端的高度小于或等于在第一方向上从基底的下表面到第一有源区的上端的高度。

公开(公告)号：CN215731696U

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202121279416.3

申请日：2021-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  安濬爀 ,  尹宰铉 ,  李明东 ,  李锡奂 ,  韩成熙 ,  许仁景

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区并与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。接触件的底部比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物或它们的组合形成。因此，其可以具有改善的电特性和集成度。