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公开(公告)号：CN115134547A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210286950.X
申请日：2022-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：包括像素的像素阵列，每个像素包括光电转换元件、将光电转换元件产生的光电荷传输到浮置扩散节点的传输晶体管、以及基于像素电源电压使浮置扩散节点复位的复位晶体管；以及控制像素的行驱动器，其中行驱动器包括向传输晶体管提供传输控制信号的传输控制信号发生器，其中传输控制信号发生器包括：被施加第一电压的第一晶体管；连接到第一晶体管的第二晶体管；被施加第二电压的第三晶体管，第二电压高于第一电压；以及连接到第三晶体管的第四晶体管，其中第二晶体管的导通电阻不同于第一晶体管的导通电阻。
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公开(公告)号：CN111835989A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010203467.1
申请日：2020-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
Abstract: 一种图像传感器，包括：像素阵列，所述像素阵列包括连接到多条行线和多条列线的多个像素，所述多个像素中的每一个像素包括用于响应于光而产生电荷的光电二极管和具有用于存储所述电荷的浮置扩散的像素电路；以及控制器，所述控制器被配置为在第一时间周期期间将所述浮置扩散的电容调整为第一值，并且从所述像素电路获得第一像素信号，在所述第一时间周期之后的第二时间周期期间将所述浮置扩散的电容调整为大于所述第一值的第二值，并且从所述像素电路获得第二像素信号，并且使用所述第一像素信号和所述第二像素信号生成结果图像。
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公开(公告)号：CN111463223A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201911064309.6
申请日：2019-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：在半导体层中并限定多个像素区域的第一器件隔离层；在每个像素区域中的第一光电转换器件和第二光电转换器件；以及在半导体层中与第一光电转换器件和第二光电转换器件垂直地重叠的第二器件隔离层。
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公开(公告)号：CN111343396A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201911270280.7
申请日：2019-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器，包括：像素，其包括将入射光转换为电信号的光电转换元件、调节在其处存储与电信号相对应的电荷的浮动扩散(FD)节点的电容的开关、以及基于FD节点将输出电压输出的读出电路。A/D转换器可以分别在第一时间和第二时间对通过输出线从读出电路传输的输出电压进行采样，并且基于它们之间的差来生成数字代码。转换增益控制器可以通过在第一时间和第二时间之间的第三时间将通过输出线从读出电路传输的输出电压与阈值电压进行比较来生成转换增益控制信号，并且将转换增益控制信号提供给开关以设置像素的转换增益。
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公开(公告)号：CN112866592B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202011051961.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , H04N25/78 , H04N5/14 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器和操作成像装置的方法。所述图像传感器包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，第一像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，第二像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第三像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第四像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，其中，第一像素的第二浮置扩散区和第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接，其中，第二像素的第三浮置扩散区和第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118352369A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410039961.7
申请日：2024-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：共享像素，包括具有1×2结构的两个子像素，并且通过金属布线共享位于所述两个子像素中的每一者上的浮置扩散区域；单位像素，在所述共享像素内围绕所述浮置扩散区域，通过正面深沟槽隔离彼此分开，并且各自包括光电二极管；转移晶体管，与所述浮置扩散区域邻近并且位于每个所述单位像素上；复位晶体管和选择晶体管，位于所述单位像素当中的位于第一象限中的第一单位像素上；转换增益晶体管，位于所述单位像素当中的位于第二象限中的第二单位像素上；以及源极跟随器晶体管，位于所述单位像素当中的位于第三象限中的第三单位像素和位于第四象限中的第四单位像素上。
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公开(公告)号：CN108695350B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201810275410.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。
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公开(公告)号：CN117714906A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310645008.2
申请日：2023-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种图像传感器。所述图像传感器包括布置有多个像素的像素阵列，其中，所述多个像素中的每个像素包括光电二极管、传输晶体管、第一浮置扩散节点至第三浮置扩散节点、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第一开关晶体管、第二开关晶体管和复位晶体管。第二开关晶体管被配置为在第一时段中截止并在光电二极管的曝光时段的第二时段中导通，并且复位晶体管被配置为在第一时段中导通并在光电二极管的曝光时段的第二时段中截止。
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公开(公告)号：CN117676366A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311146815.6
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
IPC: H04N25/766 , H04N25/78 , H04N25/779
Abstract: 一种图像传感器，包括：像素，包括升压电容器，具有连接到第一节点的一个电极，从光电元件生成的电荷被传输到第一节点，并且基于第一节点输出像素电压；行驱动器，输出复位第一节点的复位信号、施加到另一电极的升压控制信号以及将电荷传输到第一电极的传输信号；读出电路，在传输信号输出到像素之前接收像素电压作为第一信号，以及在传输信号输出到像素之后接收像素电压作为第二信号。控制器，控制行驱动器在将复位信号从启用改变为禁用之后，将升压控制信号从第一电平改变为低于第一电平的第二电平，并且控制读出电路接收第一信号和第二信号，在第一信号和第二信号期间，升压控制信号处于第二电平。
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公开(公告)号：CN117038680A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310486910.4
申请日：2023-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供图像传感器和包括图像传感器的电子装置。在一些实施例中，所述图像传感器包括：共享像素，包括具有2×2结构的四个子像素，所述2×2结构共享浮置扩散(FD)区域；多个单位像素，围绕FD区域并且通过深沟槽隔离彼此分开布置；第一传输晶体管，在所述多个单位像素中的每个中与FD区域邻近地设置；复位晶体管，设置在所述多个单位像素中的第一单位像素中并且设置在共享像素的外部处；以及源极跟随器晶体管，设置在第二单位像素中并设置在共享像素的外部处。FD区域通过金属布线结合到复位晶体管的源极区域和源极跟随器晶体管的栅极。
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