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公开(公告)号:CN1913119A
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200610138974.1
申请日:2006-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 赵诚一
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/266 , H01L2223/5442 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种在阱结构形成工艺中形成对准键的方法。该方法包括:提供具有对准键区域和第一阱区域的半导体衬底和在衬底上形成第一离子注入掩模。第一离子注入掩模具有暴露对准键区域的一部分并覆盖第一阱区域的凹槽。该方法还包括蚀刻暴露的对准键区域和第一阱区域的第一离子注入掩模以在对准键区域中形成沟槽型对准键以及暴露第一阱区域的第二离子注入掩模,以及将杂质注入到被第二离子注入掩模暴露的第一阱区域以在第一阱区域中形成第一阱。
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公开(公告)号:CN1292417C
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN01125540.4
申请日:2001-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0953
Abstract: 一种利用学习控制补偿扰动的装置和方法。一种光记录/重放装置的光记录介质驱动伺服系统,该系统包括:移动在记录介质上记录数据或从记录介质重放数据的头的位置的致动器;检测记录介质的参考位置与该头的实际位置之间位置误差的检测器;从误差检测器接收一个值并产生驱动致动器的值的补偿器;存储用于补偿由周期性扰动造成的位置误差的控制输入的第一存储器,该控制输入来自所述第一存储器;由相位变换第一存储器的内容并存储该内容的第二存储器;由相位产生第一和第二存储器的地址的定时控制器;和将第一或第二存储器的内容与补偿器的输出施加到致动器的加法器。因此,利用一种以前学习的控制结果可以迅速和有效地补偿周期性扰动分量,而不考虑其它的变化。
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